[發(fā)明專利]薄膜晶體管與薄膜晶體管的制作方法及膜層刻蝕工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711278338.3
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN108010839B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉剛;張毅先;任思雨;蘇君海;李建華
• 申請（專利權(quán)）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 葉劍

1.一種膜層刻蝕工藝，用于對薄膜晶體管的膜層進行刻蝕，所述膜層的第一表面上形成有光刻膠，所述光刻膠包括預(yù)設(shè)圖案的預(yù)留光刻膠和殘留光刻膠，其特征在于，所述膜層刻蝕工藝包括如下步驟：

采用含O₂氣體對所述膜層進行預(yù)處理，以去除所述殘留光刻膠，其中，所述預(yù)處理持續(xù)預(yù)設(shè)時長；

采用第一刻蝕氣體對所述膜層進行刻蝕處理；

采用含O₂氣體對所述膜層進行預(yù)處理，以去除所述殘留光刻膠，其中，所述預(yù)處理持續(xù)預(yù)設(shè)時長的過程包括：

采用含O₂氣體和第二刻蝕氣體對所述膜層進行持續(xù)預(yù)設(shè)時長的預(yù)處理，所述含O₂氣體用于去除所述殘留光刻膠，所述第二刻蝕氣體用于對膜層的第一表面進行預(yù)設(shè)厚度的刻蝕，以形成膜層掩膜；

所述預(yù)設(shè)時長為10~20s。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層刻蝕工藝，其特征在于，采用等離子體刻蝕法對所述膜層進行預(yù)處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層刻蝕工藝，其特征在于，刻蝕機的等離子體射頻源的功率大于等于7000W。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層刻蝕工藝，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時長為15s。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層刻蝕工藝，其特征在于，所述O₂氣體的含量與所述第二蝕刻氣體的含量的比值為1：（8-10）。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的膜層刻蝕工藝，其特征在于，刻蝕機的等離子體射頻源的功率與偏置射頻源的功率之比小于等于7:3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層刻蝕工藝，其特征在于，所述預(yù)設(shè)厚度為15~20nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層刻蝕工藝，其特征在于，所述第二刻蝕氣體包括C_xF_y、SF₆和CL₂中的至少一種。

9.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的膜層刻蝕工藝。

10.一種薄膜晶體管，其特征在于，采用根據(jù)權(quán)利要求9中所述的薄膜晶體管的制作方法制得。