[發明專利]成膜裝置及成膜方法

有效

• 申請號: 201711278236.1
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN108149226B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 山田龍藏;太田淳;淺利伸;齋藤一也
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: C23C16/503
• 分類號: C23C16/503;C23C16/458
• 代理公司: 北京英特普羅知識產權代理有限公司 11015
• 代理人: 齊永紅

本發明提供一種成膜裝置及成膜方法。將成膜對象物設置為具有立體形狀并且在成膜對象物的外表面凹陷地設置有沿著一個方向延伸的凹孔，在成膜對象物的至少凹孔的內表面形成高分子膜，所述成膜裝置具有：向配置有成膜對象物的真空室內導入原料單體的原料單體導入單元；以及具有電極和交流電源且通過向電極施加交流電力而在真空室內使等離子體產生的等離子體產生單元；使由等離子體使原料單體分解并聚合而生成的離子以及自由基附著并堆積來形成高分子膜；所述電極由有底的筒狀體構成，凹孔的孔軸設置為與有底筒狀體的底壁正交的姿勢，在使成膜對象物被底壁支撐而容納在筒狀體內的狀態下使等離子體產生時，在等離子體與凹孔的內表面之間形成離子鞘層。

技術領域

本發明涉及一種成膜裝置及成膜方法，將成膜對象物設為具有立體形狀并且在其外表面凹陷地設置有沿著一個方向延伸的凹孔，在所述成膜對象物的至少凹孔的內表面形成高分子膜，更詳細而言，涉及適用于形成例如汽車用前燈的反光鏡用的高分子膜的成膜裝置及成膜方法。

背景技術

以往，這種成膜裝置例如已知有專利文獻1。所述裝置具有：向真空室導入原料單體的原料單體導入單元；以及具有電極和交流電源且通過向所述電極投入交流電力而使等離子體產生的等離子體產生源(單元)。并且，在真空室內，以與等離子體產生源的等離子體放射面分離且凹孔與等離子體放射面相對的方式保持成膜對象物，將原料單體導入等離子體放射面與成膜對象物之間，使等離子體產生源工作而在真空室內形成等離子體，使以等離子體使原料單體分解并聚合而生成的離子以及自由基附著并堆積，從而在凹孔的內表面形成高分子膜。

但是，在上述現有例的裝置中，由于等離子體產生源和成膜對象物分離配置，因此無法在成膜對象物的凹孔內遍及其整個面高效地捕獲用等離子體分解并聚合而生成的離子以及自由基，從而成膜速率低，如果這樣的話，存在不能很好批量進行成膜這樣的問題。在這種情況下，為了在凹孔內高效地捕獲離子，還考慮向成膜對象物投入偏壓電力，但如果這樣的話，會招致成本增加和裝置結構的復雜化。

現有技術文獻

專利文獻

【專利文獻1】國際公開第2009/131036號

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明鑒于以上的問題，其課題在于提供一種能夠在成膜對象物的凹孔的內表面以高成膜速率形成高分子膜的結構簡單的成膜裝置及成膜方法。

解決技術問題的手段

為了解決上述課題，將成膜對象物設為具有立體形狀并且在所述成膜對象物的外表面凹陷地設置有沿著一個方向延伸的凹孔，在所述成膜對象物的至少凹孔的內表面形成高分子膜的本發明的成膜裝置的特征在于，所述成膜裝置具有：在配置有成膜對象物的真空室導入原料單體的原料單體導入單元；以及具有電極和交流電源且通過向所述電極施加交流電力而在真空室內使等離子體產生的等離子體產生單元，使由等離子體使原料單體分解并聚合而生成的離子以及自由基附著并堆積來形成高分子膜，所述電極由有底的筒狀體構成，凹孔的孔軸設為與有底筒狀體的底壁正交的姿勢，一旦在使成膜對象物被所述底壁支撐而容納在筒狀體內的狀態下使等離子體產生，在等離子體與凹孔的內表面之間形成離子鞘層。

根據本發明，如果向電極施加交流電力，則在真空室內產生達到成膜對象物的凹孔內的等離子體。此時，例如由于通過適當設定從電極到凹孔的內表面的距離，在等離子體與凹孔的內表面之間形成離子鞘層，因此，尤其是在等離子體中生成的離子朝向凹孔的內表面加速而附著并堆積。其結果是，使在成膜對象物的凹孔的內表面形成高分子膜時的成膜速率與上述現有例相比顯著提高。