[發明專利]一種垂直外腔面發射半導體激光器

在審

• 申請號: 201711277868.6
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN107910745A
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 張鵬;王偉;鄧從杰;王世寧;桂永雷
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十九研究所
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/187;H01S5/04;H01S5/024;H01S5/00;H01S5/34
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所23109
• 代理人: 賈澤純

1.一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于一種垂直外腔面發射半導體激光器由泵浦光源(1)、外腔鏡(2)、輸出耦合鏡片(3)、窗口層(4)、光增益區間(5)、DBR反射鏡(6)、散熱片(7)、熱沉(8)、微通道散熱片(9)及底座(10)組成；

所述的窗口層(4)、光增益區間(5)、DBR反射鏡(6)、散熱片(7)、熱沉(8)及微通道散熱片(9)為工作區域；窗口層(4)、光增益區間(5)、DBR反射鏡(6)、散熱片(7)、熱沉(8)及微通道散熱片(9)由上至下依次設置于底座(10)上；

所述的外腔鏡(2)表面鍍有增反膜；所述的窗口層(4)鍍有增透膜；所述的光增益區間(5)包括光吸收層和周期性多量子阱有源增益區；所述的外腔鏡(2)采用單片凹面鏡，外腔鏡(2)的底面與底座(10)平行，且外腔鏡(2)覆蓋泵浦光源(1)、工作區域及輸出耦合鏡片(3)；所述的泵浦光源(1)設置于底座(10)上，且位于工作區域一側。

2.根據權利要求1所述的一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于所述的泵浦光源(1)采用發射波長為400nm～600nm半導體或固體激光器，固體激光器為最大輸出功率為2W的532nm固體激光器。

3.根據權利要求1所述的一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于所述的外腔鏡(2)的材質為BK7材料。

4.根據權利要求1所述的一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于所述的輸出耦合鏡片(3)為聚焦透鏡。

5.根據權利要求1所述的一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于所述的窗口層(4)的透過波長為795nm。

6.根據權利要求1所述的一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于所述的光吸收層為AlGaAs，所述的周期性多量子阱有源增益區為AlGaAS勢壘。

7.根據權利要求1所述的一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于所述的DBR反射鏡(6)為25對～30對AlGaAs/GaAs。

8.根據權利要求1所述的一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于所述的散熱片(7)的材質為Si。

9.根據權利要求1所述的一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于所述的熱沉(8)的材質為紫銅。

10.根據權利要求1所述的一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于所述的微通道散熱片(9)的材質為紫銅或Si。