[發明專利]一種用于相控陣的寬掃描角S波段雙圓極化微帶天線及其陣列有效
| 申請號: | 201711277252.9 | 申請日: | 2017-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN107978865B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
| 發明(設計)人: | 修威;喬帥陽;楊光 | 申請(專利權)人: | 北京華鎂鈦科技有限公司 |
| 主分類號: | H01Q9/04 | 分類號: | H01Q9/04;H01Q21/06 |
| 代理公司: | 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401 | 代理人: | 巴曉艷 |
| 地址: | 北京市海淀區農大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 相控陣 掃描 波段 極化 微帶 天線 及其 陣列 | ||
1.一種用于相控陣的寬掃描角S波段雙圓極化微帶天線,其特征在于:
所述天線包括頂部介質層(1),中間介質層(2),底部介質層(3),位于頂部介質層(1)之上的第一環形結構(11),位于中間介質層(2)之上的矩形貼片(4)和第二環形結構(10),位于地板(12)之上的縫隙(5),位于底部介質層(3)之下的第一饋線(6)和第二饋線(9),第一饋線(6)和第二饋線(9)兩端分別端接左旋圓極化端口(7)和右旋圓極化端口(8),所述天線的左旋圓極化通過左旋圓極化端口(7)獲得,右旋圓極化通過右旋圓極化端口(8)獲得。
2.根據權利要求1所述的一種用于相控陣的寬掃描角S波段雙圓極化微帶天線,其特征在于:
所述第一饋線(6)和所述第二饋線(9)分別通過地板(12)之上的縫隙(5)給天線饋電,并通過控制所述縫隙(5)的位置和大小調整耦合到天線能量的大小。
3.根據權利要求1所述的一種用于相控陣的寬掃描角S波段雙圓極化微帶天線,其特征在于:
所述第二環形結構(10)和所述第一環形結構(11)分別位于所述中間介質層(2)和所述頂部介質層(1)之上用來拓展天線的波束寬度。
4.根據權利要求1所述的一種用于相控陣的寬掃描角S波段雙圓極化微帶天線,其特征在于:
所述天線為矩形形狀、圓形形狀或三角形形狀。
5.根據權利要求1所述的一種用于相控陣的寬掃描角S波段雙圓極化微帶天線,其特征在于:
所述縫隙(5)為兩條交叉的十字縫隙或三條交叉的縫隙或四條交叉的米字形縫隙。
6.由權利要求1-5之一所述的寬掃描角S波段雙圓極化微帶天線組成的天線陣列,其特征在于:
所述天線陣列由若干天線單元組成,相鄰任意兩個天線單元的中心間距小于λ,其中,λ為收發工作頻段的中心頻率中的高頻對應的自由空間波長。
7.根據權利要求6所述的天線陣列,其特征在于:
所述天線陣列是由天線單元組成2*2相控陣陣列,其掃描70度時,增益為4.44dB。
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