[發明專利]一種具有槽型氧化層和橫向超結的LDMOS器件

在審

• 申請號: 201711276852.3
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN108063158A
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 陳偉中;賀利軍;黃義
• 申請（專利權）人: 重慶郵電大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275
• 代理人: 趙榮之

1.一種具有槽型氧化層和橫向超結的LDMOS器件，其特征在于：包括器件本體，所述器件本體自上而下層疊設置有N-漂移區(6)，介質隔離層(10)和襯底(11)；

所述N-漂移區(6)中間開設有凹槽，超結的P柱(15)、超結的N柱(14)層疊設置在所述凹槽底部，所述凹槽的上方設置有槽型SiO2埋層(12)且位于超結的P柱(15)的上方，所述槽型SiO2埋層(12)的上表面與器件本體的上表面齊平；

所述N-漂移區(6)兩側開設有凹槽，在其中一個凹槽中層疊設置有N+漏極(13)和緩沖層(8)，且所述N+漏極(13)和緩沖層(8)的一側均緊貼所述槽型SiO2埋層(12)設置，所述N+漏極(13)的上表面與所述器件本體的上表面齊平；另一個凹槽中設置有P-body區(5)，所述P-body區(5)中設置有N+源區(1)，所述P-body區(5)和N+源區(1)的上表面與所述器件本體的上表面齊平；

電子發射源極(4)緊貼所述N+源區(1)和P-body區(5)上表面設置，柵氧化層(3)緊貼所述P-body區(5)、N-漂移區(6)和槽型SiO2埋層(12)的上表面設置；

漏極(7)緊貼所述N+漏極(13)的上表面上設置。

2.根據權利要求1所述的一種具有槽型氧化層和橫向超結的LDMOS器件，其特征在于：所述超結的P柱(15)的數量為2，且所述超結N的柱(14)設置在兩塊超結的P柱(15)之間。

3.根據權利要求2所述的一種具有槽型氧化層和橫向超結的LDMOS器件，其特征在于：所述超結的P柱(15)和超結的N柱(14)均為橫向分布。

4.根據權利要求1所述的一種具有槽型氧化層和橫向超結的LDMOS器件，其特征在于：所述N-漂移區(6)的厚度為25um，長度為17um。