[發(fā)明專利]一種小型橢球式等離子反應(yīng)腔及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711276641.X | 申請(qǐng)日: | 2017-12-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107858667B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李曉靜;聶鳳明;王大森;張廣平;裴寧;張旭;馮時(shí) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)兵器科學(xué)研究院寧波分院 |
| 主分類號(hào): | C23C16/513 | 分類號(hào): | C23C16/513;C23C16/27 |
| 代理公司: | 寧波誠(chéng)源專利事務(wù)所有限公司 33102 | 代理人: | 袁忠衛(wèi) |
| 地址: | 315103 浙*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 小型 橢球 等離子 反應(yīng) 及其 制造 方法 | ||
1.一種小型橢球式等離子反應(yīng)腔,包括腔體、設(shè)置在腔體內(nèi)的沉積室以及同軸天線,其特征在于:所述腔體為下部切邊的橢球狀金屬腔體,橢球狀金屬腔體的長(zhǎng)軸直徑Z=430~440mm,短軸半徑R=160~170mm,沉積室是由沉積基臺(tái)與石英鐘罩組成,其中沉積基臺(tái)平行與橢球體短軸密封設(shè)置在腔體的下部切邊位置,石英鐘罩同軸罩蓋在沉積基臺(tái)上方,同軸天線設(shè)置于腔體的上端缺口處,等離子反應(yīng)腔內(nèi)的微波耦合方式為天線耦合,微波諧振模式為TM033;
所述沉積基臺(tái)的高度z4=64~68mm,石英鐘罩半徑Rsy=115~125mm,石英鐘罩高度Hsy=230~250mm;同軸天線的內(nèi)半徑r1=8~10mm,外半徑r2=26~28mm;同軸天線的高度z1=58~62mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型橢球式等離子反應(yīng)腔,其特征在于:所述腔體采用不銹鋼材料,同軸天線采用圓柱狀銅材料,橢球狀金屬腔體的長(zhǎng)軸直徑Z=435mm,短軸半徑R=165mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型橢球式等離子反應(yīng)腔,其特征在于:所述沉積基臺(tái)的高度z4=66mm;石英鐘罩半徑Rsy=120mm,石英鐘罩高度Hsy=240mm;同軸天線的內(nèi)半徑r1=9mm,外半徑r2=27mm;同軸天線的高度z1=60mm。
4.一種小型橢球式等離子反應(yīng)腔的制造方法,其特征在于包括以下步驟:
1)腔體設(shè)計(jì):腔體為下部切邊的橢球狀金屬腔體,橢球狀金屬腔體的長(zhǎng)軸直徑Z=430~440mm,短軸半徑R=160~170mm;
2)沉積室設(shè)計(jì):沉積室是由沉積基臺(tái)與石英鐘罩組成,其中沉積基臺(tái)平行與橢球體短軸密封設(shè)置在腔體的下部切邊位置,石英鐘罩同軸罩蓋在沉積基臺(tái)上方,沉積基臺(tái)的高度z4=64~68mm,石英鐘罩半徑Rsy=115~125mm,石英鐘罩高度Hsy=230~250mm;
3)同軸天線設(shè)計(jì):同軸天線采用圓柱狀銅材料,設(shè)置于腔體的上端缺口處,同軸天線的內(nèi)半徑r1=8~10mm,外半徑r2=26~28mm;同軸天線的高度z1=58~62mm;
4)等離子反應(yīng)腔內(nèi)的微波耦合方式為天線耦合,微波諧振模式為TM033。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法,其特征在于:所述等離子反應(yīng)腔內(nèi)的等離子體密度的最大值達(dá)到1.5×1017/m3。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法,其特征在于:所述腔體采用不銹鋼材料,橢球狀金屬腔體的長(zhǎng)軸直徑Z=435mm,短軸半徑R=165mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法,其特征在于:所述沉積基臺(tái)的高度z4=66mm;石英鐘罩半徑Rsy=120mm,石英鐘罩高度Hsy=240mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法,其特征在于:所述同軸天線的內(nèi)半徑r1=9mm,外半徑r2=27mm,同軸天線的高度z1=60mm。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





