[發(fā)明專利]氮化鎵外延片、外延方法及氮化鎵基晶體管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711275976.X
• 申請(qǐng)日: 2017-12-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108155224A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭艷敏;房玉龍;尹甲運(yùn);張志榮;王波;李佳;蘆偉立;高楠;馮志紅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
• 主分類號(hào): H01L29/36
• 分類號(hào): H01L29/36;H01L21/336;H01L29/778
• 代理公司: 石家莊國(guó)為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 陸林生

1.一種氮化鎵外延片，其特征在于，包括：

襯底；

p型極化摻雜的隔斷層，形成于所述襯底的上表面；

氮化鎵外延層，形成于所述隔斷層的上表面。

2.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵外延片，其特征在于，所述襯底為氮化鎵襯底。

3.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵外延片，其特征在于，所述襯底為硅襯底、氮化鎵襯底、氮化鋁襯底、碳化硅襯底、石英襯底或藍(lán)寶石襯底；

所述氮化鎵外延片還包括：

第一氮化鎵層，形成于所述襯底和所述隔斷層之間。

4.如權(quán)利要求3所述的氮化鎵外延片，其特征在于，所述第一氮化鎵層為p型摻雜或高阻絕緣層。

5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的氮化鎵外延片，其特征在于，所述隔斷層為Al_xGa_1-xN材料；其中，x為Al的組分，1-x為Ga的組分，x滿足關(guān)系：0<x≤1；或

所述隔斷層為In_yAl_zGa_1-y-zN材料；其中，y為In的組分，z為Al的組分，1-y-z為Ga的組分，y和z滿足關(guān)系：0<y≤1，0≤z<1，0≤1-y-z<1。

6.如權(quán)利要求5所述的氮化鎵外延片，其特征在于，所述隔斷層的材料的組分沿所述隔斷層的厚度方向漸變；其中，所述隔斷層的材料的極化強(qiáng)度隨著所述隔斷層厚度的增加而減小。

7.如權(quán)利要求5所述的氮化鎵外延片，其特征在于，所述隔斷層包括多層子隔斷層，其中，至少兩層所述子隔斷層的材料的組分不相同；極化強(qiáng)度大的子隔斷層位于下層。

8.如權(quán)利要求5所述的氮化鎵外延片，其特征在于，所述隔斷層包括第一隔斷層和第二隔斷層，所述第一隔斷層的材料的組分沿所述第一隔斷層的厚度方向漸變；所述第二隔斷層的材料的組分一定；其中，在所述第一隔斷層的極化強(qiáng)度大于所述第二隔斷層的極化強(qiáng)度時(shí)，所述第一隔斷層位于所述第二隔斷層的下表面；在所述第一隔斷層的極化強(qiáng)度小于所述第二隔斷層的極化強(qiáng)度時(shí)，所述第一隔斷層位于所述第二隔斷層的上表面。

9.一種氮化鎵外延片的外延方法，其特征在于，包括：

將襯底在進(jìn)行原位清洗；

在清洗后的所述襯底上生長(zhǎng)p型極化摻雜的隔斷層；

在所述隔斷層上生長(zhǎng)氮化鎵外延層。

10.一種氮化鎵基晶體管，其特征在于，所述晶體管的基底為如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的氮化鎵外延片。