[發(fā)明專利]具有非對(duì)稱通道的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711275973.6 | 申請日: | 2017-12-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109783404A | 公開(公告)日: | 2019-05-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 袁戎 | 申請(專利權(quán))人: | 北京憶恒創(chuàng)源科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F12/1009 | 分類號(hào): | G06F12/1009 |
| 代理公司: | 北京卓特專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11572 | 代理人: | 段宇 |
| 地址: | 100192 北京市海淀區(qū)西小口*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 邏輯單元 通道耦合 芯片 固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備 非對(duì)稱通道 控制部件 物理塊 大塊 申請 | ||
1.一種固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備,其特征在于,包括控制部件,控制部件通過多個(gè)通道耦合到NVM芯片;每個(gè)通道耦合一個(gè)或多個(gè)NVM芯片,NVM芯片包括一個(gè)或多個(gè)邏輯單元,多個(gè)邏輯單元的每個(gè)為大塊提供物理塊,一個(gè)或多個(gè)第一通道耦合的NVM芯片提供的邏輯單元的數(shù)量大于一個(gè)或多個(gè)第二通道耦合的NVM芯片提供的邏輯單元的數(shù)量。
2.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備,其特征在于,大塊的校驗(yàn)塊由第一通道到耦合的NVM芯片提供。
3.如權(quán)利要求1或2所述的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備,其特征在于,第一大塊的校驗(yàn)塊由第二通道到耦合的NVM芯片提供,以及第一通道為第一大塊提供的一個(gè)或多個(gè)物理塊不被使用。
4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備,其特征在于,第一通道的NVM芯片的一個(gè)或多個(gè)物理塊符合構(gòu)造第一大塊的條件,但不被用于構(gòu)造第一大塊。
5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備,其特征在于,邏輯單元包括多個(gè)平面,為第一大塊提供物理塊的多個(gè)邏輯單元中,為第一大塊提供好的物理塊最多的第一邏輯單元被選擇為第一大塊提供校驗(yàn)塊。
6.如權(quán)利要求5所述的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備,其特征在于,若第一邏輯單元不屬于第一通道,第一通道為第一大塊提供的物理塊被設(shè)置為壞塊。
7.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備,其特征在于,
第一大塊的校驗(yàn)塊由第一通道到耦合的NVM芯片提供;
第二大塊的校驗(yàn)塊由第二通道到耦合的NVM芯片提供;以及
第一通道的NVM芯片為第二大塊提供的一個(gè)或多個(gè)物理塊不被使用。
8.一種為大塊選擇校驗(yàn)塊的方法,其特征在于,包括:
從多個(gè)通道中提供了最多邏輯單元的第一通道選擇為第一大塊提供校驗(yàn)塊的第一邏輯單元,以及選擇第一邏輯單元為第一大塊提供的物理塊作為第一大塊的校驗(yàn)塊。
9.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,
若第一邏輯單元為第一大塊提供的物理塊不滿足作為校驗(yàn)塊的條件,選擇不同于第一通道的其他通道的邏輯單元為大塊提供的物理塊作為第一大塊的校驗(yàn)塊。
10.一種為大塊選擇校驗(yàn)塊的方法,其特征在于,包括:
獲取一個(gè)或多個(gè)通道的每個(gè)上的邏輯單元為第一大塊提供的好塊數(shù)量;
若一個(gè)或多個(gè)通道的第一通道上的第一邏輯單元為第一大塊提供的好塊數(shù)量等于為第一大塊提供物理塊的所有邏輯單元的每個(gè)為第一大塊所能提供的最大好塊數(shù)量,且第一通道的邏輯單元數(shù)量大于一個(gè)或多個(gè)通道的第二通道的邏輯單元數(shù)量;
選擇第一邏輯單元為第一大塊提供校驗(yàn)塊。
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