[發明專利]一種用于解決硅片吸筆的吸筆印方法在審
| 申請號: | 201711274225.6 | 申請日: | 2017-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN108133908A | 公開(公告)日: | 2018-06-08 |
| 發明(設計)人: | 徐炳飛 | 申請(專利權)人: | 中建材浚鑫科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人: | 姚姣陽 |
| 地址: | 214443 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 吸盤 吸筆 硅片吸筆 柔性材質 外端 聚氯乙稀 包覆 氣體通道管 防靜電膜 生產過程 使用性能 電池片 電性能 泄壓孔 工段 防污 膜層 貼膜 吸孔 生產成本 連通 指紋 合格率 外部 | ||
本發明揭示了一種用于解決硅片吸筆的吸筆印方法,該硅片吸筆包括吸盤和具有連通其外部與內部泄壓孔的氣體通道管,吸盤上設置有吸孔,所述方法包括以下步驟:在吸盤的外端面上設置有至少一層柔性材質;柔性材質為聚氯乙稀,聚氯乙稀包覆于所述吸盤的外端面上;柔性材質為具有防污、防指紋、防靜電膜層,膜層包覆于所述吸盤的外端面上。本技術方案明顯提高了吸筆的使用性能,改善電池片的電性能及外觀,及提高自身在環境中的耐用時間,并且貼膜容易更換,并免于直接更換支吸筆,直接提高了經濟效益,適合在產業上推廣使用。該方法成本低,解決了PE生產過程中造成的吸筆印問題,大大地提高了PECVD工段的合格率,大大地降低了生產成本。
技術領域
本發明涉及太陽能電池制造技術領域,更具體地說,涉及一種用于解決硅片吸筆的吸筆印方法。
背景技術
太陽能光伏電池是一種將太陽能轉換為電能的半導體器件,其原理為光生伏打原理。在生產太陽能光伏電池的過程中,為了降低光線在硅片表面的反射,需要在晶硅表面利用PECVD技術沉積一層氮化硅減反射膜,以提高晶硅太陽能電池對光線的吸收從而達到提高太陽能電池的光電轉換效率,同時沉積在硅片表面的氮化硅膜對晶硅太陽能電池也起到表面鈍化和保護作用。因此,PECVD 鍍膜是晶硅太陽能電池片生產過程中極為重要的一道工序。
太陽電池行業PECVD工藝過程中,經常因為吸筆問題而使片子在PECVD之后產生嚴重的吸筆印,嚴重影響電池片的外觀。在晶硅太陽能電池片PECVD鍍膜過程中,硅片是放在石墨舟當中放入PECVD管中進行鍍膜。具體步驟為:1、用真空吸筆利用真空將硅片從花籃中抽出并插入石墨舟中;2、將裝滿硅片的石墨舟送入400℃高溫PECVD管進行鍍膜工藝;3、用真空吸筆將做完鍍膜工藝的硅片從石墨舟中取出放入承載盒。太陽能電池行業PECVD工藝過程中,必須把片子從普通片夾或者花籃轉移到石墨舟內,才能夠進行相關工藝。現在一些廠家使用與PECVD設備相配套的自動上下片機,但是設備成本相當昂貴,所以大多廠家仍以手動裝卸片為主,而手動裝卸片必須用專業的吸筆將片子吸起再放進或取處石墨舟。現在通常使用的吸筆筆頭都是由硬橡膠制成,吸片效果很好,但最大缺點是當吸筆使用一段時間之后筆頭就會被嚴重磨損,這樣一方面片子上會有雜質殘留,影響電池的正常工藝,另一方面PECVD之后的片子會因為吸筆磨損而產生白色劃痕,嚴重影響片子的外觀。
由于傳統吸筆筆頭耐磨損能力弱,使用一段時間后吸筆筆頭就變得很粗糙。然而電池片表面絨面非常小,極易破損,所以粗糙的筆頭會對絨面造成非常大的傷害,會使得電池片產生很大漏電,并嚴重影響電池片外觀,而且磨損的吸筆筆頭會有顆粒狀雜質產生,這種雜質附著在電池片表面也會影響后續工藝和電性能。
現行行業中吸筆印問題時常發生,但是沒有得到足夠重視,對于吸筆的使用也非常單一和被動,而實際上吸筆印會嚴重影響電池片的外觀,會使電池片等級下降,嚴重影響經濟效益。
發明內容
本發明的目的就是為了解決現有技術中存在的上述問題,提供一種用于解決硅片吸筆的吸筆印方法,該方法可以徹底地解決吸筆印問題,從而極大地優化了電池片的外觀,也能夠一定程度上提高電池片的電性能。
本發明的目的將通過以下技術方案得以實現:一種用于解決硅片吸筆的吸筆印方法,所述硅片吸筆包括吸盤和具有連通其外部與內部泄壓孔的氣體通道管,所述吸盤上設置有吸孔,所述方法包括以下步驟:在吸盤的外端面上設置有至少一層柔性材質。
優選地,所述柔性材質為聚氯乙稀,所述聚氯乙稀包覆于所述吸盤的外端面上。
優選地,所述柔性材質為具有防污、防指紋、防靜電膜層,所述膜層包覆于所述吸盤的外端面上。
優選地,所述膜層厚度為0.5μm~2μm。
優選地,在所述吸盤的外側還套設有用于可更換的防污軟膠套。
優選地,所述防污軟膠套的厚度為0.2mm~0.5mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





