[發明專利]成膜方法、硼膜以及成膜裝置

有效

• 申請號: 201711274133.8
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN108220922B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 上田博一;岡正浩;石川拓;渡部佳優;米澤周平
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/517
• 分類號: C23C16/517;C23C16/455;C23C16/28
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種成膜方法，其特征在于，

在被調整為0.67Pa～33.3Pa即5mTorr～250mTorr的范圍內的壓力的處理氛圍中，對包含含硼氣體的反應氣體進行等離子體化，來在用于形成半導體裝置的基板上形成硼膜，

在將所述基板加熱到60℃以上且低于300℃的范圍內的溫度的狀態下進行所述硼膜的成膜，

在利用氣體對包括氧化硅膜的膜進行蝕刻來形成凹部時，使用所述硼膜作為掩膜，

利用硝酸水溶液來從包括氧化硅膜的膜中去除作為所述掩膜使用的硼膜。

2.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

所述含硼氣體為從由乙硼烷氣體、三氯化硼氣體和烷基硼烷氣體構成的組中選擇的氣體。

3.根據權利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述反應氣體還包含從由氦氣、氬氣和氫氣構成的組中選擇的氣體。

4.根據權利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

在將所述基板加熱到60℃以上250℃以下的范圍內的溫度的狀態下進行所述硼膜的成膜。

5.根據權利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

在形成所述硼膜時將基板加熱的溫度為100℃以上且低于300℃的范圍內。

6.根據權利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

在將所述基板加熱到100℃以上250℃以下的范圍內的溫度的狀態下進行所述硼膜的成膜。

7.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

所述硼膜包含氫。

8.根據權利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

通過向反應氣體供給微波來進行反應氣體的等離子體化。

9.根據權利要求8所述的成膜方法，其特征在于，

將所述微波從設置于基板的上方的天線供給到反應氣體，

對兼作載置基板的載置部的電極部施加高頻電力。

10.根據權利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

通過向被施加有高頻電力的平行平板電極間供給反應氣體并使所述平行平板電極電容耦合來進行反應氣體的等離子體化。

11.一種硼膜，其特征在于，

所述硼膜是將用于形成半導體裝置的基板加熱到60℃以上且低于300℃的范圍內的溫度，并在被調整為0.67Pa～33.3Pa即5mTorr～250mTorr的范圍內的壓力的處理氛圍中，對包含含硼氣體的反應氣體進行等離子體化，來在所述基板上進行成膜所得到的，

在利用氣體對包括氧化硅膜的膜進行蝕刻來形成凹部時，使用所述硼膜作為掩膜，

利用硝酸水溶液來從包括氧化硅膜的膜中去除作為所述掩膜使用的硼膜。

12.根據權利要求11所述的硼膜，其特征在于，

在將所述基板加熱到60℃以上250℃以下的范圍內的溫度的狀態下，在所述基板上進行成膜。

13.根據權利要求11所述的硼膜，其特征在于，

在將所述基板加熱到100℃以上且低于300℃的范圍內的溫度的狀態下，在所述基板上進行成膜。

14.根據權利要求11所述的硼膜，其特征在于，

在將所述基板加熱到100℃以上250℃以下的范圍內的溫度的狀態下，在所述基板上進行成膜。

15.根據權利要求11所述的硼膜，其特征在于，

所述硼膜包含氫。