[發(fā)明專利]一種干刻蝕方法及多晶硅薄膜晶體管在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711273022.5 | 申請(qǐng)日： | 2017-12-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108155089A | 公開（公告）日： | 2018-06-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張海杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/027 | 分類號(hào)： | H01L21/027;H01L21/308 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 鐘子敏 |
| 地址： | 518006 廣東*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 圖案層 光阻 坡度 光阻邊緣 多晶硅薄膜晶體管 光阻圖案 灰化處理 形狀定義 灰化 刻蝕 蝕刻 蝕刻處理 減小 | ||
1.一種干刻蝕方法，其特征在于，所述方法包括：
對(duì)圖案層上的塊狀光阻進(jìn)行灰化處理，所述灰化處理過程中所述塊狀光阻邊緣灰化速度大于所述塊狀光阻中部灰化速度，使得所述塊狀光阻邊緣坡度變緩；
對(duì)所述圖案層及其上的所述塊狀光阻進(jìn)行蝕刻處理，以獲得所述塊狀光阻圖案形狀定義的所述圖案層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用含氧基團(tuán)等離子體對(duì)所述塊狀光阻進(jìn)行灰化處理。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氧基團(tuán)等離子體為氧氣等離子體或含有氧氣和六氟化硫的等離子體。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用含氯基團(tuán)等離子體對(duì)所述圖案層及其上的所述塊狀光阻進(jìn)行蝕刻處理。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述含氯基團(tuán)等離子體為氯氣等離子體或含有氯氣和六氟化硫的等離子體。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述灰化處理的上極板電壓為6KV-15KV，下極板電壓為0-5KV，處理時(shí)間為10s-60s。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述刻蝕過程中，上極板電壓為5KV-15KV，下極板電壓為2-10KV，處理時(shí)間為30s-80s。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述圖案層為多晶硅層。
9.如權(quán)利要求1-8任一所述的方法，其特征在于，圖案層邊緣坡度小于60°。
10.一種多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，所述多晶硅薄膜晶體管采用包括權(quán)利要求1-9任一所述的方法制備。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
