[發明專利]一種選擇性發射極的制作方法

在審

• 申請號: 201711272857.9
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN107895751A
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 許佳平;鄭霈霆;張昕宇;金浩;孫海杰;祁文杰
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本發明涉及晶體硅太陽能電池技術領域，更具體地說，尤其涉及一種選擇性發射極的制作方法。

背景技術

選擇性發射極是一種應用比較廣泛的提高晶體硅太陽能電池轉換效率的技術，該技術是在太陽能電池正面擴散層接收太陽光的區域(即受光區)實現低表面濃度輕摻雜，在擴散層和金屬電極接觸的區域(即電極區)實現高表面濃度重摻雜。

受光區低表面輕摻雜有利于降低晶體硅太陽能電池的俄歇復合，提升太陽能電池的光譜響應，從而提高開路電壓和短路電流；電極區高表面濃度重摻雜有利于降低擴散層和金屬電極的接觸電阻，從而降低太陽能電池的串聯電阻，提高填充因子。

現有技術中，采用噴臘掩膜反刻技術形成選擇性發射極，但是，噴臘掩膜反刻技術需要價格高昂的噴臘設備、以及成本較高的臘材料和去臘清洗材料，而晶體硅太陽能電池在光伏行業中售價在不斷降低，該噴臘掩膜反刻技術已不符合低成本生產需求。并且，噴臘掩膜反刻技術形成選擇性發射極在硅片圖像識別上采用邊對位的方式，要求掩膜的寬度較寬，通常在200um左右，也就使得重摻雜區域的寬度在200um左右，進一步限制了噴臘掩膜反刻技術形成選擇性發射極的技術發展。

由此可知，現有技術中制作選擇性發射極的技術成本高，生成良率低。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供了一種選擇性發射極的制作方法，該制作方法極大程度的降低了制作選擇性發射極的技術成本，且生成良率高。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種選擇性發射極的制作方法，所述制作方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底的第一表面形成第一擴散層；

在所述第一擴散層的預設區域形成第二擴散層；

刻蝕預設厚度的第一擴散層以及所述第二擴散層；

其中，刻蝕之前第二擴散層的方塊電阻小于刻蝕之前第一擴散層的方塊電阻，刻蝕之后第二擴散層的方塊電阻小于刻蝕之后第一擴散層的方塊電阻，刻蝕之后第一擴散層的方塊電阻大于刻蝕之前第一擴散層的方塊電阻，刻蝕之后第二擴散層的方塊電阻大于刻蝕之前第二擴散層的方塊電阻。

優選的，在上述制作方法中，所述襯底為P型硅襯底。

優選的，在上述制作方法中，所述在所述襯底的第一表面形成第一擴散層包括：

對所述襯底進行制絨處理；

在制絨處理后的襯底的第一表面進行磷擴散，形成所述第一擴散層。

優選的，在上述制作方法中，所述刻蝕之前第一擴散層的方塊電阻的范圍為60ohm/sq-90ohm/sq，包括端點值。

優選的，在上述制作方法中，所述在所述第一擴散層的預設區域形成第二擴散層包括：

在所述第一擴散層的預設區域進行激光熱處理，形成所述預設區域的第二擴散層。

優選的，在上述制作方法中，所述刻蝕之前第二擴散層的方塊電阻的范圍為30ohm/sq-60ohm/sq，包括端點值。

優選的，在上述制作方法中，所述預設區域為寬度范圍為70um-200um的區域，包括端點值。

優選的，在上述制作方法中，所述預設厚度的范圍為20nm-60nm，包括端點值。

優選的，在上述制作方法中，所述刻蝕之后第一擴散層的方塊電阻的范圍為90ohm/sq-160ohm/sq，包括端點值。

優選的，在上述制作方法中，所述刻蝕之后第二擴散層的方塊電阻的范圍為60ohm/sq-90ohm/sq，包括端點值。

通過上述描述可知，本發明提供的一種選擇性發射極的制作方法包括：提供一襯底；在所述襯底的第一表面形成第一擴散層；在所述第一擴散層的預設區域形成第二擴散層；刻蝕預設厚度的第一擴散層以及所述第二擴散層；其中，刻蝕之前第二擴散層的方塊電阻小于刻蝕之前第一擴散層的方塊電阻，刻蝕之后第二擴散層的方塊電阻小于刻蝕之后第一擴散層的方塊電阻，刻蝕之后第一擴散層的方塊電阻大于刻蝕之前第一擴散層的方塊電阻，刻蝕之后第二擴散層的方塊電阻大于刻蝕之前第二擴散層的方塊電阻。

也就是說，先在襯底的第一表面形成第一擴散層，即N型的重摻雜擴散層，之后在所述第一擴散層的預設區域形成第二擴散層，即N型的超重摻雜擴散層，然后刻蝕預設厚度的第一擴散層以及所述第二擴散層，即將N型的重摻雜擴散層刻蝕成N型的輕摻雜擴散層，將N型的超重摻雜擴散層刻蝕成N型的重摻雜擴散層。

該制作方法極大程度的降低了制作選擇性發射極的技術成本，生成良率高，且可以靈活控制刻蝕之后形成的N型的重摻雜擴散層的區域。