[發明專利]一種硅片的處理方法

在審

• 申請號: 201711271080.4
• 申請日: 2017-12-05
• 公開（公告）號: CN109872941A
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發明（設計）人: 趙向陽
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 羅磊

本發明涉及一種硅片的處理方法，包括以下步驟：取一硅片進行氧化處理，以在所述硅片表面形成氧化膜；對所述硅片進行低溫加熱處理，使所述硅片內部的金屬離子擴散至所述硅片表面的氧化膜中；去除所述硅片表面的氧化膜；清潔所述硅片。通過對所述硅片進行氧化處理形成氧化膜，氧化膜有吸附金屬離子的功能；對所述硅片進行低溫加熱處理，使所述金屬離子向所述硅片表面擴散，所述金屬離子會附著在所述氧化膜上，以去除所述硅片內部的金屬離子；通過酸性腐蝕溶液等腐蝕所述硅片表面，可以腐蝕掉所述硅片表面的氧化膜和附著在氧化膜上的金屬離子，達到去除所述硅片中金屬離子的目的，使所述硅片中金屬離子去除的更有效。

技術領域

本發明涉及半導體制造設備技術領域，尤其是一種硅片的處理方法。

背景技術

在硅片處理過程中，很多情況都會導致硅片中含有雜質，例如硅片的材料本身含有金屬雜質，或者是硅片在加工過程中混入金屬雜質等，隨著半導體線寬的縮小，以及IC元件對暗電流的要求日益嚴格，要求硅片內部的金屬雜質濃度越低越好。

硅片中的金屬雜質來源類型較多，而且需要硅片中金屬雜質達到一定比例以下，從來源減少硅片中金屬雜質會變得比較困難。現有技術中減少硅片中金屬雜質的方法一般僅僅是去除了硅片表面的金屬雜質，由于硅片內部雜質不易浮出表面，因此還是存在少數金屬雜質遺留在硅片內部中，影響硅片使用。

發明內容

本發明的目的在于提供一種硅片的處理方法，以解決現有技術中硅片內金屬雜質較多的問題。

為了解決現有技術中存在的問題，本發明提供了一種硅片的處理方法，所述硅片的處理方法包括以下幾個步驟：

取一硅片進行氧化處理，以在所述硅片表面形成氧化膜；

對所述硅片進行低溫加熱處理，使所述硅片內部的金屬離子擴散至所述硅片表面的氧化膜中；

去除所述硅片表面的氧化膜；

清潔所述硅片。

可選的，在所述硅片的處理方法中，對所述硅片的氧化處理包括：將所述硅片置于700℃至1000℃的環境中，注入純氧或混合氧進行氧化，氧化時長為10分鐘至1個小時。

可選的，對所述硅片進行低溫加熱處理包括：將氧化處理后的所述硅片置于200℃至300℃加熱的平臺上，時間為2至3個小時，使所述硅片中的金屬離子在低溫加熱后擴散至所述硅片表面的氧化膜中。

可選的，在對所述硅片低溫加熱使所述金屬離子擴散的過程中，同時對所述硅片進行微波輻射。

可選的，在所述硅片的處理方法中，在去除所述硅片表面的氧化膜之前，所述硅片在常溫中冷卻半個小時以上，以使所述金屬離子固定在所述氧化膜上。

可選的，在所述硅片的處理方法中，利用酸性溶液對所述硅片表面的氧化膜進行腐蝕以去除所述硅片表面的氧化膜。

可選的，在所述硅片的處理方法中，在所述酸性溶液對所述硅片表面的氧化膜腐蝕過程中，同時注入酸性蒸汽對所述硅片進行腐蝕。

可選的，在所述硅片的處理方法中，采用硅片專用的清洗藥液清洗所述硅片。

在本發明提供的硅片的處理方法中，對所述硅片進行氧化處理，以使所述硅片的表面被氧化而形成一層氧化膜，氧化膜有吸附金屬離子的功能，經過對所述硅片進行低溫加熱處理，能夠使所述硅片內部的金屬離子都向表面擴散，從而使所述硅片表面以及內部的金屬雜質都吸附在所述氧化膜中，從而去除所述硅片表面的氧化膜時能夠很好的清除所述硅片內部的金屬雜質，在硅片的純度方面提高了所述硅片的質量，使之減少對電流等的影響，在使用方面起到重大作用。

附圖說明

圖1為本發明實施例的硅片處理方法的流程圖；