[發明專利]一種基于光刻和電鍍實現超精細封裝引線的方法

有效

• 申請號: 201711270635.3
• 申請日: 2017-12-05
• 公開（公告）號: CN108242433B
• 公開（公告）日: 2020-02-04
• 發明（設計）人: 戴旭涵;李冬洋;丁桂甫;姜太圭
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H01L21/48
• 代理公司: 31317 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙)
• 代理人: 徐紅銀

1.一種基于光刻和電鍍實現超精細封裝引線的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

1)在固定有芯片和金屬焊盤的襯底表面涂覆一層干膜光刻膠；

2)對經過步驟1)處理的襯底進行曝光、顯影，在芯片與襯底的金屬焊盤上分別顯影過孔；

3)在經過步驟2)處理的襯底表面制備一層種子層；

4)在所述種子層的表面再涂覆一層干膜光刻膠；

5)對涂覆所述干膜光刻膠后的襯底進行光刻、顯影，使得芯片與金屬焊盤上方的過孔以及過孔之間對應位于下述引線下方的種子層暴露出來；

6)在暴露的所述種子層上電鍍金屬層，形成過孔之間的引線；所述金屬層為銅、金、銅鎳復合層或銅金復合層中一種；

7)移除作為犧牲層的干膜光刻膠和種子層，最終形成懸空的引線互連結構。

2.根據權利要求1所述的一種基于光刻和電鍍實現超精細封裝引線的方法，其特征在于，在執行所述步驟1)時，涂覆干膜光刻膠采用熱輥壓或真空貼膜技術。

3.根據權利要求2所述的一種基于光刻和電鍍實現超精細封裝引線的方法，其特征在于，在執行所述步驟1)時，芯片厚度為20至100μm，干膜厚度為15-60μm。

4.根據權利要求1所述的一種基于光刻和電鍍實現超精細封裝引線的方法，其特征在于，在執行所述步驟2)時，過孔的尺寸為20～50μm，以芯片與襯底上正對的兩個過孔為一組，相鄰組過孔的間距為15～55μm，同組過孔之間引線長度大于50μm。

5.根據權利要求1所述的一種基于光刻和電鍍實現超精細封裝引線的方法，其特征在于，在執行所述步驟3)時，制備種子層采用濺射，種子層材料采用鉻銅復合層或鈦銅復合層。

6.根據權利要求1所述的一種基于光刻和電鍍實現超精細封裝引線的方法，其特征在于，在執行所述步驟4)時，涂覆干膜光刻膠采用熱輥壓或真空貼膜技術。

7.根據權利要求6所述的一種基于光刻和電鍍實現超精細封裝引線的方法，其特征在于，在執行所述步驟4)時，干膜厚度為15-60μm。

8.根據權利要求1所述的一種基于光刻和電鍍實現超精細封裝引線的方法，其特征在于，在執行所述步驟5)時，過孔之間引線的截面形狀為方形，寬度為20-60μm。

9.根據權利要求1所述的一種基于光刻和電鍍實現超精細封裝引線的方法，其特征在于，在執行所述步驟6)時，電鍍銅的厚度范圍是10-60μm，電鍍鎳的厚度范圍是1-5μm，電鍍金的厚度范圍是1-10μm。

10.根據權利要求1-9任一項所述的一種基于光刻和電鍍實現超精細封裝引線的方法，其特征在于，在執行所述步驟7)時，具有以下一種或多種特征：

-去除干膜光刻膠采用質量濃度為4％～40％的氫氧化鈉溶液；

-所述種子層為鉻銅種子層時，去除其中的銅種子層使用氨水和雙氧水的混合液，體積比為40:1～1:1之間；去除其中的鉻種子層采用高錳酸鉀或者鐵氰化鉀溶液；

-所述種子層為鈦銅種子層時，去除其中的銅種子層使用氨水和雙氧水的混合液，體積比為40:1～1:1之間；去除其中的鈦種子層采用氫氟酸溶液。