[發(fā)明專利]含鋁多量子阱激光芯片及其制造方法、激光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711270242.2
• 申請日: 2017-12-05
• 公開（公告）號: CN107895746B
• 公開（公告）日: 2019-09-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尚飛;楊皓宇;李善文
• 申請（專利權(quán)）人: 青島海信寬帶多媒體技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/18;H01S5/34
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 邢雪紅;喬彬

本發(fā)明公開了一種含鋁多量子阱激光芯片及其制造方法、激光裝置，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該含鋁多量子阱激光芯片的制造方法包括：在基板上生成含鋁的多量子阱層；借助于刻蝕阻擋層對多量子阱層進行刻蝕以生成臺面結(jié)構(gòu)；在預(yù)定水浴溫度下采用鈍化劑對所述臺面結(jié)構(gòu)進行浸泡，以實現(xiàn)對所述含鋁的多量子阱層界面的鈍化處理；在包含經(jīng)鈍化處理后的所述含鋁的多量子阱層界面的所述臺面結(jié)構(gòu)上生成反向阻擋層；以及去除刻蝕阻擋層并在反向阻擋層和臺面結(jié)構(gòu)上依次形成包層和電接觸層。本公開可以防止含鋁多量子阱被氧化，進而提高激光芯片的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種含鋁多量子阱激光芯片、含鋁多量子阱激光芯片的制造方法和激光裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體激光裝置是以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)而產(chǎn)生激光的器件，具有體積小、重量輕、驅(qū)動功率和電流低、效率高、工作壽命長且易于與各種光電子器件實現(xiàn)光電子集成等優(yōu)點，因而獲得了廣泛的應(yīng)用。其中，半導(dǎo)體激光芯片(半導(dǎo)體激光器)是半導(dǎo)體激光裝置的重要部件，半導(dǎo)體激光裝置一般包括半導(dǎo)體激光芯片驅(qū)動電路、溫控、光控電路和熱沉等，半導(dǎo)體激光芯片位于熱沉上。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，量子阱激光器，尤其多量子阱激光器的出現(xiàn)，大大提高了激光器的閾值電流、溫度特性、調(diào)制特性和偏振特性。

然而，針對隱埋結(jié)構(gòu)的含鋁多量子阱激光器，在制造過程中，生成的多量子阱由于含有鋁，因而容易被氧化，進而可能造成激光器性能裂化、可靠性較低的問題。

鑒于此，需要一種含鋁多量子阱激光芯片、含鋁多量子阱激光芯片的制造方法和激光裝置。

需要說明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的目的在于提供一種含鋁多量子阱激光芯片、含鋁多量子阱激光芯片的制造方法和激光裝置，進而至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷而導(dǎo)致的一個或者多個問題。

根據(jù)本公開的一個方面，提供一種含鋁多量子阱激光芯片的制造方法，包括：

在基板上生成含鋁的多量子阱層；

借助于刻蝕阻擋層對所述多量子阱層進行刻蝕以生成臺面結(jié)構(gòu)；

在預(yù)定水浴溫度下采用鈍化劑對所述臺面結(jié)構(gòu)進行浸泡，以實現(xiàn)對所述含鋁的多量子阱層界面的鈍化處理；

在包含經(jīng)鈍化處理后的所述含鋁的多量子阱層界面的所述臺面結(jié)構(gòu)上生成反向阻擋層；以及

去除所述刻蝕阻擋層并在所述反向阻擋層和所述臺面結(jié)構(gòu)上依次形成包層和電接觸層。

在本公開的一種示例性實施例中，所述鈍化劑為預(yù)定質(zhì)量濃度的硫化銨水溶液。

在本公開的一種示例性實施例中，所述預(yù)定質(zhì)量濃度的范圍為20％至39％。

在本公開的一種示例性實施例中，所述預(yù)定水浴溫度為55℃至65℃。

在本公開的一種示例性實施例中，所述預(yù)定水浴溫度為16℃至20℃。

在本公開的一種示例性實施例中，所述在預(yù)定水浴溫度下采用鈍化劑對所述臺面結(jié)構(gòu)進行浸泡包括：

在預(yù)定水浴溫度下將所述臺面結(jié)構(gòu)在所述硫化銨水溶液中靜置15min至20min。

在本公開的一種示例性實施例中，在所述在預(yù)定水浴溫度下采用鈍化劑對所述臺面結(jié)構(gòu)進行浸泡后，所述制造方法還包括：

采用去離子水對所述臺面結(jié)構(gòu)進行沖洗以使電阻率滿足預(yù)定要求；

使用脫水劑對所述臺面結(jié)構(gòu)進行脫水處理。