[發明專利]一種過渡金屬元素摻雜的TiO2納米棒陣列的制備方法在審
| 申請號: | 201711269602.7 | 申請日: | 2017-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN107935037A | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發明(設計)人: | 李鑫;楊隆凱;黃海寧;崔千;曹冰冰;王澤宇 | 申請(專利權)人: | 廈門大學 |
| 主分類號: | C01G23/053 | 分類號: | C01G23/053 |
| 代理公司: | 廈門南強之路專利事務所(普通合伙)35200 | 代理人: | 馬應森 |
| 地址: | 361005 *** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 過渡 金屬元素 摻雜 tio2 納米 陣列 制備 方法 | ||
1.一種過渡金屬元素摻雜的TiO2納米棒陣列的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
1)FTO基底清洗;
2)TiO2籽晶層制備;
3)過渡金屬元素摻雜的TiO2納米棒陣列的制備。
2.如權利要求1所述一種過渡金屬元素摻雜的TiO2納米棒陣列的制備方法,其特征在于在步驟1)中,所述FTO基底清洗的具體方法為:對于納米棒陣列的生長基底選用FTO玻璃用洗衣粉搓洗,去除表面油污,再用水、丙酮、異丙醇、水依次超聲15min清洗FTO基底。
3.如權利要求2所述一種過渡金屬元素摻雜的TiO2納米棒陣列的制備方法,其特征在于所述FTO玻璃的尺寸采用20mm×20mm×2.2mm。
4.如權利要求2所述一種過渡金屬元素摻雜的TiO2納米棒陣列的制備方法,其特征在于所述水采用去離子水。
5.如權利要求2所述一種過渡金屬元素摻雜的TiO2納米棒陣列的制備方法,其特征在于所述FTO基底由耐鹽酸腐蝕、表面平整的基底代替。
6.如權利要求1所述一種過渡金屬元素摻雜的TiO2納米棒陣列的制備方法,其特征在于在步驟2)中,所述TiO2籽晶層制備的具體方法為:將鈦酸四異丙酯分散在乙醇中,加入水和鹽酸,用于抑制鈦酸四異丙酯水解,磁力攪拌10min后,過濾,采用旋涂的方法,在2000r/60s的條件下,在FTO基底表面成膜,隨后在馬弗爐中進行450℃煅燒,使得生成結晶性良好的TiO2籽晶層。
7.如權利要求1所述一種過渡金屬元素摻雜的TiO2納米棒陣列的制備方法,其特征在于在步驟3)中,所述過渡金屬元素摻雜的TiO2納米棒陣列的制備的具體方法為:將旋有籽晶層的FTO放置于密閉的高壓水熱反應釜體系中,并添加金屬鹽到溶劑熱標準反應溶液中,進行溶劑熱反應,溶劑熱反應標準溶液中的典型成分質量比為:鹽酸︰丁酮︰二乙基丁酸︰鈦酸四丁酯=3︰2︰1︰0.3。
8.如權利要求7所述一種過渡金屬元素摻雜的TiO2納米棒陣列的制備方法,其特征在于所述鹽酸采用37%質量含量的濃鹽酸。
9.如權利要求7所述一種過渡金屬元素摻雜的TiO2納米棒陣列的制備方法,其特征在于所述金屬鹽的金屬離子選自鉭、釔、鈮中的一種,所述金屬鹽可采用鹵化鹽、硝酸鹽、醋酸鹽中的一種;金屬離子與鈦酸四丁酯中鈦元素的摩爾比可為0~5%,優選0~0.5%。
10.如權利要求7所述一種過渡金屬元素摻雜的TiO2納米棒陣列的制備方法,其特征在于所述溶劑熱反應的填充度為0.5~0.7,反應的溫度為180~230℃,反應的時間為30~100min。
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