[發(fā)明專利]利用溴化鑭探測(cè)器測(cè)量中子劑量率的方法和中子劑量率儀

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711269585.7
• 申請(qǐng)日: 2017-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN108051847B
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾志;劉翠紅;李君利;張輝;曾鳴;馬豪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): G01T3/00
• 分類號(hào): G01T3/00
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 趙天月

1.一種測(cè)量中子劑量率的方法，其特征在于，所述方法利用中子在溴化鑭探測(cè)器中產(chǎn)生的中子特征γ能峰的凈計(jì)數(shù)率與所述中子在該點(diǎn)造成的中子劑量率之間存在確定性的函數(shù)關(guān)系，通過測(cè)量γ能譜，并利用所述確定性的函數(shù)關(guān)系，計(jì)算并獲得中子劑量率，

其中，所述確定性的函數(shù)關(guān)系為對(duì)數(shù)函數(shù)關(guān)系或線性擬合函數(shù)：

所述對(duì)數(shù)函數(shù)關(guān)系表示為：D_i＝alnNi+b，其中，D_i為中子劑量率，單位為μSv/h；N_i為入射中子與溴化鑭晶體材料發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生的特征γ能峰的凈計(jì)數(shù)率，單位為cps；a，b為常數(shù)，且a>0；

所述線性擬合函數(shù)表示為：D_i＝kN_i+c，其中，D_i為中子劑量率，單位為μSv/h；N_i為入射中子與溴化鑭晶體材料發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生的特征γ能峰的凈計(jì)數(shù)率，單位為cps；k，c為常數(shù)，且k>0。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

采用溴化鑭探測(cè)器對(duì)中子進(jìn)行探測(cè)，以便獲得特征γ能峰；

基于所述特征γ能峰的凈計(jì)數(shù)率和所述確定性的函數(shù)關(guān)系，計(jì)算獲得中子劑量率。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述確定性的函數(shù)關(guān)系中，所述凈計(jì)數(shù)率的范圍為：N_i>0。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述確定性的函數(shù)關(guān)系中，所述中子劑量率的測(cè)量范圍為：D_i>0。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述中子由锎源產(chǎn)生。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述特征γ能峰包括選自下列至少之一：22.34±5keV、54.64±5keV、83.05±5keV、101.1±5keV、119.2±5keV、173.5±5keV、207.1±5keV、217.5±5keV、243.3±5keV、262±5keV、276.7±5keV、294.9±5keV、307.2±5keV、335±5keV、344±5keV、387.9±5keV、536.9±10keV、606.9±10keV、650.5±10keV、725.1±10keV、766.8±10keV 842.7±10keV、872.4±10keV、962.8±10keV、1002±10keV、1043±10keV、1084±10keV、1115±10keV、1268±10keV。

7.一種中子劑量率儀，其特征在于，所述中子劑量率儀具有溴化鑭探測(cè)器，所述溴化鑭探測(cè)器適于與入射中子發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生特征γ能峰，并探測(cè)得到特征γ全能峰的能譜，

其中，所述中子劑量率儀的工作原理為：入射中子與溴化鑭晶體材料發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生不同能量的特征γ能峰，特征γ能峰的凈計(jì)數(shù)率與輻射場(chǎng)的中子劑量率之間存在權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的確定性的函數(shù)關(guān)系，不同能量的特征γ能峰的凈計(jì)數(shù)率的變化與中子劑量率的變化趨勢(shì)是一致的，通過測(cè)量任何一個(gè)或幾個(gè)中子特征γ能峰的凈計(jì)數(shù)率組合與相應(yīng)的解譜計(jì)算，可得到被測(cè)輻射場(chǎng)的中子劑量率。