[發明專利]一種集流體,其極片和電化學裝置有效
| 申請號: | 201711269253.9 | 申請日: | 2017-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN109873166B | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發明(設計)人: | 梁成都;黃華鋒;黃起森 | 申請(專利權)人: | 寧德時代新能源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01M4/66 | 分類號: | H01M4/66;H01M4/131;H01M10/0525 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 王剛;龔敏 |
| 地址: | 352100 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 流體 電化學 裝置 | ||
1.一種集流體,其特征在于,所述集流體包括絕緣層和導電層,所述絕緣層用于承載所述導電層,所述導電層用于承載電極活性材料層,且所述導電層位于所述絕緣層的至少一個表面上;
所述絕緣層的密度小于所述導電層的密度;絕緣層的厚度為D1,D1滿足:1 μm≤D1≤10μm,所述導電層的厚度為D2,D2滿足:200nm≤D2≤1.5μm;
所述絕緣層的拉伸強度不小于150MPa;
所述導電層的電阻率不大于8.0×10-8 Ω·m;
所述導電層包括導電層本體和位于所述導電層本體的兩個相對表面上的金屬保護層,設置于所述導電層本體的背離所述絕緣層方向的表面上的金屬保護層的厚度為D3',設置于所述導電層本體的朝向所述絕緣層方向的表面上的金屬保護層的厚度為D3'',D3''與D3'的比例關系為:1/2D3'≤D3''≤4/5D3'。
2.根據權利要求1所述的集流體,其特征在于,D1滿足:1 μm≤D1≤5μm。
3.根據權利要求2所述的集流體,其特征在于,D1滿足:1 μm≤D1≤3μm。
4.根據權利要求1所述的集流體,其特征在于,所述絕緣層的斷裂伸長率為16% ~120%。
5.根據權利要求4所述的集流體,其特征在于,所述絕緣層的材料為有機聚合物絕緣材料。
6.根據權利要求5所述的集流體,其特征在于,所述有機聚合物絕緣材料選自聚酰胺、聚對苯二甲酸酯、聚酰亞胺、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚對苯二甲酰對苯二胺、聚丙乙烯、聚甲醛、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、硅橡膠、聚碳酸酯中的至少一種。
7.根據權利要求1所述的集流體,其特征在于,所述絕緣層和所述導電層之間的結合力為F,F滿足≥400N/m。
8.根據權利要求1至6任一項所述的集流體,其特征在于,所述絕緣層在200℃的熱收縮率不大于1.5%。
9.根據權利要求1所述的集流體,其特征在于,D2滿足:200nm≤D2≤1μm。
10.根據權利要求9所述的集流體,其特征在于,D2滿足:200nm≤D2≤900nm。
11.根據權利要求1所述的集流體,其特征在于,所述金屬保護層的材料選自鎳、鉻、鎳基合金、銅基合金中的至少一種。
12.根據權利要求1所述的集流體,其特征在于,所述導電層本體的材料選自金屬導電材料、碳基導電材料中的至少一種。
13.根據權利要求12所述的集流體,其特征在于,所述金屬導電材料選自鋁、銅、鎳、鈦、銀、鎳銅合金、鋁鋯合金中的至少一種,所述碳基導電材料選自石墨、乙炔黑、石墨烯、碳納米管中的至少一種。
14.根據權利要求1所述的集流體,其特征在于,D3'滿足:D3'≤1/10D2且1nm≤D3'≤200nm,D3''滿足:D3''≤1/10D2且1nm≤D3''≤200nm。
15.根據權利要求14所述的集流體,其特征在于,10nm≤D3'≤50nm,10nm≤D3''≤50nm。
16.一種極片,其特征在于,包括權利要求1~15中任一權利要求所述的集流體和形成于所述集流體表面的電極活性材料層。
17.一種電化學裝置,包括正極極片、隔膜和負極極片,其特征在于,所述正極極片和/或所述負極極片為權利要求16中所述的極片。
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