[發(fā)明專利]用于SoC片上系統(tǒng)的單粒子效應(yīng)測試方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711268879.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108226748B | 公開(公告)日: | 2020-01-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉偉鑫;汪波;李珍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海精密計(jì)量測試研究所;上海航天信息研究所 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28;G01R31/00 |
| 代理公司: | 31107 上海航天局專利中心 | 代理人: | 余岢 |
| 地址: | 201109 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單粒子效應(yīng) 單粒子效應(yīng)測試 片上系統(tǒng) 串行接口電路 存儲(chǔ)器單元 邏輯單元 外設(shè)單元 用戶定義 有效測試 測試 評(píng)估 | ||
本發(fā)明提供了一種用于SoC片上系統(tǒng)的單粒子效應(yīng)測試方法,本發(fā)明包括對(duì)SoC處理器內(nèi)部CPU單元、存儲(chǔ)器單元、用戶定義邏輯單元以及AD和DA、串行接口電路等外設(shè)單元單粒子效應(yīng)的測試,可以對(duì)SoC處理器內(nèi)部不同結(jié)構(gòu)單元的單粒子效應(yīng)進(jìn)行有效測試,實(shí)現(xiàn)對(duì)SoC處理器單粒子效應(yīng)的全面、合理評(píng)估。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于SoC片上系統(tǒng)的單粒子效應(yīng)測試方法。
背景技術(shù)
隨著集成電路技術(shù)進(jìn)入新階段,市場開始轉(zhuǎn)向追求體積更小、成本更低、功耗更少的產(chǎn)品,因此出現(xiàn)了將對(duì)個(gè)甚至整個(gè)系統(tǒng)集成在一個(gè)芯片上的產(chǎn)品—片上系統(tǒng)(System OnChip,SoC)。系統(tǒng)芯片將原先由多個(gè)芯片完成的功能集中到單芯片中完成。更具體地說,它在單一硅芯片上實(shí)現(xiàn)信號(hào)采集、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)、處理和I/O等功能,或者說在單一硅芯片上集成了數(shù)字電路、模擬電路、信號(hào)采集和轉(zhuǎn)換電路、存儲(chǔ)器、MPU、MCU、DSP、MPEG等,實(shí)現(xiàn)了一個(gè)系統(tǒng)的功能。
SoC并不是各個(gè)芯片功能的簡單疊加,而是從整個(gè)系統(tǒng)的功能和性能出發(fā),用軟硬結(jié)合的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證方法,利用芯核復(fù)用及深亞微米技術(shù),在一個(gè)芯片上實(shí)現(xiàn)復(fù)雜功能。一個(gè)典型的SoC通常由以下部分組成:微處理器、存儲(chǔ)器、提供數(shù)據(jù)路徑的片上總線、定時(shí)和中斷控制器、外部存儲(chǔ)器控制器、通信控制器、通用I/O接口。另外,還可以包含視頻解碼器、UART接口等。圖1是SoC結(jié)構(gòu)的一種例子。
空間環(huán)境中質(zhì)子、重離子等高能粒子引起的單粒子輻射效應(yīng)會(huì)對(duì)宇航用元器件造成嚴(yán)重威脅,如引起存儲(chǔ)器發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)、微處理器發(fā)生單粒子功能中斷、場效應(yīng)管發(fā)生單粒子燒毀和柵穿等。SoC作為未來航天器電子系統(tǒng)的重要組成部分,為單粒子效應(yīng)敏感器件,一旦SoC由于單粒子輻射效應(yīng)的影響出現(xiàn)性能降低或失效,將會(huì)對(duì)航天器的供電產(chǎn)生嚴(yán)重威脅。在地面實(shí)驗(yàn)室條件下利用重離子加速器、質(zhì)子加速器等輻射源對(duì)宇航用SoC進(jìn)行輻照試驗(yàn),評(píng)估其抗單粒子輻射效應(yīng)性能,是航天器抗輻射加固設(shè)計(jì)的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。
國內(nèi)目前建立的單粒子輻射效應(yīng)測試裝置主要適用于SRAM型FPGA、CPU處理器以及大容量存儲(chǔ)器。中國專利CN103837839A“二次電源單粒子效應(yīng)測試方法”給出了一種基于A/D轉(zhuǎn)換器進(jìn)行數(shù)據(jù)采集以及利用DSP和FPGA進(jìn)行數(shù)據(jù)處理分析的二次電源模塊單粒子輻射效應(yīng)測試方法。對(duì)于超大規(guī)模SoC這樣的復(fù)雜器件,目前沒有相應(yīng)的專利對(duì)其單粒子效應(yīng)測試方法進(jìn)行描述。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用于SoC片上系統(tǒng)的單粒子效應(yīng)測試方法,能夠?qū)oC處理器內(nèi)部不同結(jié)構(gòu)單元的單粒子效應(yīng)進(jìn)行有效測試,實(shí)現(xiàn)對(duì)SoC處理器單粒子效應(yīng)的全面、合理評(píng)估。
為解決上述問題,本發(fā)明提供一種用于SoC片上系統(tǒng)的單粒子效應(yīng)測試方法,采用包括被測DSP、FPGA、PC機(jī)、PROM、電源和電流監(jiān)測單元的測試系統(tǒng),所述方法包括:
SoC處理器上電后自動(dòng)加載PROM中的配置程序,PC機(jī)通過串口向FPGA發(fā)送控制指令,通過FPGA實(shí)現(xiàn)對(duì)被測DSP的讀寫操作;
被測SoC處理器上電后,配置程序加載至內(nèi)部典型結(jié)構(gòu)單元的工作狀態(tài)寄存器,完成DSP工作狀態(tài)的配置;
FPGA對(duì)被測SoC處理器內(nèi)部典型結(jié)構(gòu)單元的寄存器和存儲(chǔ)器寫入測試數(shù)據(jù),包括對(duì)CPU內(nèi)部的Cache緩存和通用寄存器組、SRAM存儲(chǔ)器、FLASH存儲(chǔ)器以及McBSP多通道緩沖串口、HPI主機(jī)接口、I2C總線接口、定時(shí)器的外設(shè)單元的寄存器寫入“55H”或“AAH”測試數(shù)據(jù);
輻照過程中,PC機(jī)通過FPGA向被測SoC處理器發(fā)出數(shù)據(jù)讀取請(qǐng)求,被測SoC處理器通過物理地址映射讀取所有被測寄存器和存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)數(shù)據(jù),并將讀取到的數(shù)據(jù)傳送至FPGA;
FPGA通過串口將數(shù)據(jù)回送至PC機(jī),PC機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)比對(duì),統(tǒng)計(jì)被測SoC處理器內(nèi)部寄存器和存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)邏輯狀態(tài)出錯(cuò)情況,顯示出錯(cuò)寄存器的名稱、所屬結(jié)構(gòu)單元、出錯(cuò)類型、出錯(cuò)時(shí)間及位數(shù);
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海精密計(jì)量測試研究所;上海航天信息研究所,未經(jīng)上海精密計(jì)量測試研究所;上海航天信息研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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- 專利分類
G01R 測量電變量;測量磁變量
G01R31-00 電性能的測試裝置;電故障的探測裝置;以所進(jìn)行的測試在其他位置未提供為特征的電測試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測試;測試對(duì)象多點(diǎn)通過測試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測試
G01R31-08 .探測電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測試
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