[發明專利]太陽能電池片及其制備方法、太陽能電池串以及光伏組件在審
| 申請號: | 201711268793.5 | 申請日: | 2017-12-05 | 
| 公開(公告)號: | CN107863404A | 公開(公告)日: | 2018-03-30 | 
| 發明(設計)人: | 郁操;楊苗;徐希翔 | 申請(專利權)人: | 君泰創新(北京)科技有限公司 | 
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/05;H01L31/18 | 
| 代理公司: | 北京維澳專利代理有限公司11252 | 代理人: | 周放,張春雨 | 
| 地址: | 100176 北京市大興區北京經*** | 國省代碼: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制備 方法 以及 組件 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能技術領域,尤其涉及一種太陽能電池片及其制備方法、太陽能電池串以及光伏組件。
背景技術
隨著太陽能電池技術的發展,異質結太陽能電池以其高效和高穩定性的特點成為主流太陽能電池之一,根據不同的安裝方式和安裝環境,具有雙面發電性能的異質結太陽能電池的實際戶外發電量比傳統晶硅電池高出 15-30%。而評價異質結太陽能電池性能優劣的一個重要指標為短路電流密度Jsc,短路電流密度Jsc越大,電池效率越高。
因異質結太陽能電池雙面發電的特性,其兩面均設置有電極,并且電極包括多根間隔分布的細柵線和主柵線。而該主柵線會遮擋異質結太陽能電池片的部分受光面積,從而降低了異質結太陽能電池片的短路電流密度,進而導致異質結太陽能電池效率降低。另外,主柵線采用銀材質制成,大量用做主柵線時,成本非常高昂。
發明內容
本發明的目的是提供一種太陽能電池片及其制備方法、太陽能電池串以及光伏組件,以解決上述問題,增加太陽能電池片的受光面,從而提高其短路電流密度,進而達到增加太陽能電池片轉換效率的目的;同時降低制造成本。
本發明提供了一種太陽能電池片,所述太陽能電池片從上至下依次包括第一電極、第一透明導電層、第一導電型的第一摻雜層、第一鈍化層、單晶硅片、第二鈍化層、第二導電型的第二摻雜層、第二透明導電層和第二電極;所述第一摻雜層和所述第二摻雜層pn結合;
所述雙面發電太陽能電池片還包括導電連接件,所述導電連接件的一端與所述第一電極電連接,所述導電連接件的另一端延伸至所述第二透明導電層靠近所述第二電極的一側。
如上所述的雙面發電太陽能電池片,其中,優選的是,所述第一電極包括多條第一細柵線,多條所述第一細柵線交匯形成第一匯流點;
所述導電連接件與所述第一匯流點電連接。
如上所述的雙面發電太陽能電池片,其中,優選的是,所述第二電極包括多條第二細柵線,多條所述第二細柵線交匯形成第二匯流點。
如上所述的雙面發電太陽能電池片,其中,優選的是,所述第一匯流點和所述第二匯流點的數量均為多個。
如上所述的雙面發電太陽能電池片,其中,優選的是,所述導電連接件的數量為多個。
如上所述的雙面發電太陽能電池片,其中,優選的是,所述雙面發電太陽能電池片上開設有通孔,所述導電連接件設置在所述通孔中。
如上所述的雙面發電太陽能電池片,其中,優選的是,所述通孔的內壁和靠近所述第二透明導電層的一側邊緣上均設置有第一絕緣膜。
如上所述的雙面發電太陽能電池片,其中,優選的是,所述第二透明導電層上均開設有絕緣孔,所述絕緣孔位于所述通孔的四周,將第二透明導電層與所述導電連接件進行絕緣。
如上所述的雙面發電太陽能電池片,其中,優選的是,所述通孔按照 n*n陣列分布于所述雙面發電太陽能電池片上,其中n為大于等于3的整數。
如上所述的雙面發電太陽能電池片,其中,優選的是,所述導電連接件為銀漿灌制形成。
如上所述的雙面發電太陽能電池片,其中,優選的是,所述第一摻雜層為N型非晶硅基層,所述第二摻雜層為P型非晶硅基層。
如上所述的雙面發電太陽能電池片,其中,優選的是,所述第一鈍化層和所述第二鈍化層均為非晶硅基本征層。
本發明還提供了一種太陽能電池片的制備方法,包括:
步驟S1:在單晶硅片上開設通孔;
步驟S2:對單晶硅片的兩面進行制絨和清洗;
步驟S3:在單晶硅片的一面依次沉積第一鈍化層和第一摻雜層;在單晶硅片的另一面依次沉積第二鈍化層和第二摻雜層;
步驟S4:在第一摻雜層上沉積第一透明導電層;在第二摻雜層上沉積第二透明導電層;
步驟S5:在第一透明導電層上制備第一電極;然后在第二透明導電層上制備第二電極;在制備第一電極或者第二電極的同時制備導電連接件。
如上所述的太陽能電池片的制備方法,其中,優選的是,步驟S1中,通過激光打孔,在N型硅片上形成通孔。
如上所述的太陽能電池片的制備方法,其中,優選的是,在步驟S4之后,步驟S5之前,還包括:
步驟S400:通過腐蝕工藝或者激光刻蝕工藝,將單晶硅片的通孔的側壁上沉積的第一透明導電層和第二透明導電層腐蝕。
如上所述的太陽能電池片的制備方法,其中,優選的是,在步驟S4之后,步驟S5之前,還包括:
步驟S401:在所述通孔的內壁上制備第一絕緣膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





