[發明專利]一種濕法刻蝕的上料裝置在審
| 申請號: | 201711267254.X | 申請日: | 2017-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN107919307A | 公開(公告)日: | 2018-04-17 |
| 發明(設計)人: | 林建偉;何大娟;劉志鋒;季根華;劉勇 | 申請(專利權)人: | 泰州中來光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京金之橋知識產權代理有限公司11137 | 代理人: | 林建軍 |
| 地址: | 225500 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 濕法 刻蝕 裝置 | ||
1.一種濕法刻蝕的上料裝置,包括上料主機臺、反應槽、滾輪、儲液槽,其特征在于:所述反應槽設置在所述上料主機臺上,所述滾輪設置在所述反應槽的頂部,所述反應槽里放置有腐蝕液,所述反應槽中的腐蝕液的液面高于所述滾輪的底部,所述儲液槽中的化學品和水通過循環泵輸送至所述反應槽,所述儲液槽上設置有化學品配液添加系統和水配液添加系統。
2.根據權利要求1所述的一種濕法刻蝕的上料裝置,其特征在于:所述儲液槽中還設置有化學品自動補給系統和水自動補給系統。
3.根據權利要求1或2所述的一種濕法刻蝕的上料裝置,其特征在于:所述滾輪為螺紋帶液滾輪或海綿帶液滾輪,所述滾輪帶有定向功能。
4.根據權利要求3所述的一種濕法刻蝕的上料裝置,其特征在于:硅片通過所述滾輪之間的輥道水平輸送,所述硅片的前部剛進入到反應槽中時,所述硅片的頭部邊緣略微接觸反應槽中的腐蝕液的液面,以使得所述腐蝕液在硅片下表面形成薄膜。
5.根據權利要求1或2所述的一種濕法刻蝕的上料裝置,其特征在于:所述濕法刻蝕的上料裝置還包括獨立的循環系統和抽風系統。
6.根據權利要求5所述的一種濕法刻蝕的上料裝置,其特征在于:所述反應槽的材質為聚丙烯,其長度為400-1000nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





