[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711266580.9
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN107946203B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 酒井宣隆;大武守;齋藤浩兒;高橋富視
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/683;H01L23/544;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;呂世磊

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：

(a)提供各自包括多個芯片裝配部分和外部端子形成部分的多個襯底；

(b)在所述襯底中的每個襯底中，在所述芯片裝配部分中的每個芯片裝配部分上裝配半導(dǎo)體芯片；

(c)在步驟(b)之后，在所述襯底中的每個襯底中，用傳導(dǎo)部件電耦合所述半導(dǎo)體芯片的鍵合焊盤和所述外部端子形成部分；

(d)在步驟(c)之后，在所述襯底中的每個襯底中，用樹脂密封體密封所述半導(dǎo)體芯片和所述傳導(dǎo)部件；

(e)在步驟(d)之后，在所述襯底中的每個襯底中，在所述樹脂密封體的表面上形成包括產(chǎn)品信息的標(biāo)記；

(f)在步驟(e)之后，在所述襯底中的每個襯底中，在向所述樹脂密封體以外暴露的所述外部端子形成部分的表面上形成鍍制層；

(g)在步驟(f)之后，在所述襯底中的每個襯底中，通過切割所述樹脂密封體和所述外部端子形成部分將所述襯底單一化成多個半導(dǎo)體器件；

(h)在步驟(g)之后，在所述半導(dǎo)體器件中的每個半導(dǎo)體器件中，執(zhí)行用于篩選用所述樹脂密封體密封的所述半導(dǎo)體器件的特性缺陷的測試；

(i)在步驟(h)之后，在所述半導(dǎo)體器件中的每個半導(dǎo)體器件中，執(zhí)行用于篩選可視缺陷的視覺檢驗；并且

(j)在所述半導(dǎo)體器件之中，裝運在步驟(i)中確定為無缺陷的所述半導(dǎo)體器件，

其中向所述襯底、所述襯底的所述芯片裝配部分、所述半導(dǎo)體芯片以及用于存儲和運送所述襯底的架中的每項附著唯一標(biāo)識信息，

其中在步驟(b)和后續(xù)步驟中的每個步驟中，經(jīng)由服務(wù)器相互關(guān)聯(lián)所述步驟中的每個步驟的制造歷史和所述標(biāo)識信息，由此執(zhí)行所述半導(dǎo)體器件的過程控制，并且

其中按架為單位執(zhí)行所述過程控制直至步驟(c)，而在步驟(d)中和之后按批次為單位執(zhí)行所述過程控制。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中向所述半導(dǎo)體芯片附著的所述標(biāo)識信息包括作為關(guān)于所述半導(dǎo)體芯片的晶片過程信息的半導(dǎo)體晶片編號、擴(kuò)散批次編號、關(guān)于半導(dǎo)體晶片中的所述半導(dǎo)體芯片的位置信息和關(guān)于所述半導(dǎo)體芯片的無缺陷產(chǎn)品/缺陷產(chǎn)品信息。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中向在相同擴(kuò)散過程中制造的多個所述半導(dǎo)體芯片附著相同擴(kuò)散批次編號，相互關(guān)聯(lián)所述擴(kuò)散批次編號和所述架的標(biāo)識信息，并且由此執(zhí)行所述半導(dǎo)體器件的過程控制。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中以二維碼的形式形成每條所述標(biāo)識信息。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中通過激光束分別標(biāo)記所述二維碼。