[發(fā)明專利]磷擴(kuò)散均勻性的修復(fù)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711263983.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107993930A | 公開(公告)日: | 2018-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樂雄英;李靜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州潤陽光伏科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/223 | 分類號(hào): | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 擴(kuò)散 均勻 修復(fù) 方法 | ||
1.一種磷擴(kuò)散均勻性的修復(fù)方法,其特征在于,該方法依次包括如下步驟:
(1)氧化;
(2)第一次沉積;
(3)第二次沉積;
(4)第三次沉積;
(5)推結(jié);
且上述步驟(1)~(5)于不相同的溫度條件下完成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷擴(kuò)散均勻性的修復(fù)方法,其特征在于,該氧化步驟的方法是:將硅片放入擴(kuò)散石英爐管中,保持載舟溫度750-780℃,以10-15℃/min的速率升溫至800℃進(jìn)行氧化,按照氧氣流量2000sccm,氮?dú)饬髁?000sccm的條件進(jìn)行氧化,氧化時(shí)間180s。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷擴(kuò)散均勻性的修復(fù)方法,其特征在于,該第一次沉積步驟的方法是,按照溫度800℃,氮?dú)饬髁?000sccm,氧氣流量800sccm,磷源流量780sccm的條件進(jìn)行沉積,沉積時(shí)間300s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷擴(kuò)散均勻性的修復(fù)方法,其特征在于,該第二次沉積步驟的方法是,按照溫度850℃,氮?dú)饬髁?000sccm,氧氣流量900sccm,磷源流量850sccm的條件進(jìn)行沉積,沉積時(shí)間510s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷擴(kuò)散均勻性的修復(fù)方法,其特征在于,該第三次沉積步驟的方法是,按照溫度850℃,氮?dú)饬髁?000sccm,氧氣流量650sccm,磷源流量780sccm的條件進(jìn)行沉積,沉積時(shí)間480s。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷擴(kuò)散均勻性的修復(fù)方法,其特征在于,該推結(jié)步驟的方法是,按照溫度835℃,氮?dú)饬髁?000sccm,氧氣流量2500sccm的條件進(jìn)行沉積,推進(jìn)時(shí)間540s。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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