[發明專利]一種SiC器件歐姆接觸的形成方法在審
| 申請號： | 201711262250.2 | 申請日： | 2017-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN108231566A | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發明（設計）人： | 朱繼紅;藺增金;趙小瑞;張志文 | 申請（專利權）人： | 北京燕東微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/285 | 分類號： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 張雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反應金屬層 歐姆接觸 合金 快速熱退火 活化處理 圖案化 襯底 刻蝕 | ||
【權利要求書】：
1.一種SiC器件歐姆接觸的形成方法，其特征在于，包括：
通過刻蝕對襯底中的N型區域和P型區域表面同時進行活化處理；形成反應金屬層并對所述反應金屬層進行圖案化，以確定需要進行歐姆合金的區域；以及
通過快速熱退火形成歐姆合金。
2.如權利要求1所述的SiC器件歐姆接觸的形成方法，其特征在于，在所述活化處理步驟中，采用ICP刻蝕。
3.如權利要求1所述的SiC器件歐姆接觸的形成方法，其特征在于，在所述形成歐姆合金的步驟中，退火溫度為1050-1150℃且退火時間為2-5min。
4.如權利要求1-3中的任意一項所述的SiC器件歐姆接觸的形成方法，其特征在于，在所述形成反應金屬層的步驟中，所述反應金屬為鉬。
5.如權利要求4所述的SiC器件歐姆接觸的形成方法，其特征在于，所述活化處理步驟與所述形成反應金屬層的步驟之間的間隔時間小于或等于15分鐘。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
