[發明專利]一種具有換電網的太陽能電池及制作方法在審
| 申請號: | 201711261761.2 | 申請日: | 2017-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN107946390A | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發明(設計)人: | 孫健春 | 申請(專利權)人: | 孫健春 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L31/054;H01L31/068;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 225500 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 電網 太陽能電池 制作方法 | ||
1.一種太陽能電池,包括上硅板(10)和下硅板(4),所述上硅板(10)上表面分布嵌裝有上硅板導電帶(2),所述上硅板(10)上表面貼合有鋼化玻璃層(11),所述鋼化玻璃層(11)上表面貼合有透鏡層(1),所述上硅板(10)的下表面一體成型有摻磷層(3),所述下硅板(4)的下表面嵌裝有下硅板導電帶(7),所述下硅板(4)下表面貼合有反光層(6),所述反光層(6)下表面貼合有承重層(5),所述下硅板上表面一體成型有摻硼層(8),所述摻硼層(8)與摻磷層(3)緊密貼合,且摻硼層(8)與摻磷層(3)之間夾裝有換電網層(9)。
2.根據權利要求1所述的一種太陽能電池,其特征在于:所述透鏡層(1)為均勻排列的微型透鏡構成。
3.根據權利要求1所述的一種太陽能電池,其特征在于:所述上硅板導電帶(2)縱橫均勻分布在上硅板(10)的上表面,所述下硅板導電帶(7)縱橫均勻分布在下硅板(4)的下表面。
4.根據權利要求1所述的一種太陽能電池,其特征在于:換電網層(9)為納米網格,且其材料為鈉或NaS。
5.一種太陽能電池的制作方法,具體包括以下操作步驟:
第一步:取硅板進行加工處理,形成光滑的單晶硅薄片,且硅片厚度在200~300um;
第二步:對硅板的單一表面進行磷化處理或硼化處理,進行磷化的表面構成上硅板(10)的摻磷層(3),進行硼化的表面構成下硅板(4)的摻硼層(8);
第三步:將換電網層(9)均勻分布在摻硼層(8)上表面,且換電網層(9)為納米網格,且其材料為鈉或NaS;
第四步:將摻磷層(3)與摻硼層(8)進行貼合,構成PN結,通過摻磷層(3)與摻硼層(8)的結合構成PN結;
第五步:將鋼化玻璃層(11)、透鏡層(1)依次貼合在上硅板(10)的上表面,依次貼合,構成太陽能電池上層的復合結構,且內部無填充介質;
第六步:將反光層(6)、承重成(5)依次貼合在下硅板(4)的下表面,依次貼合,構成太陽能電池的下層復合結構,且內部無填充介質。
6.根據權利要求5所述的一種太陽能電池的制造方法,其特征在于,在摻硼層上形成30~50納米厚的金屬鈉層或NaS層,之后通過陣列激光器進行照射,金屬鈉層或NaS層收縮、聚集成納米網格結構,形成換電網層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





