[發明專利]高電子遷移率晶體管器件

有效

• 申請號: 201711261540.5
• 申請日: 2017-12-04
• 公開（公告）號: CN108155232B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 艾曼·謝比卜;凱爾·特里爾
• 申請（專利權）人: 維西埃-硅化物公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;婁曉丹

1.一種器件，包括：

第一結構，包括：

第一高電子遷移率晶體管HEMT，包括：

第一柵極；

耦合到所述第一柵極的源極；以及

耦合到所述第一柵極的漏極；以及

第二HEMT，包括：

耦合到所述第一HEMT的所述源極的第二柵極和第二漏極；以及

耦合到所述第一HEMT的所述漏極的第二源極；

其中所述第二HEMT具有比所述第一HEMT更低的閾值電壓；以及

第二結構，包括：

單個HEMT，其中所述單個HEMT包括：柵極，耦合到所述第一HEMT的所述源極的源極，以及耦合到所述第一HEMT的所述漏極的漏極，其中所述單個HEMT具有比所述第二HEMT更高的閾值電壓。

2.如權利要求1所述的器件，其中所述第一柵極包括第一接觸和具有第一濃度的摻雜的第一區域，其中所述第二柵極包括第二接觸和具有第二濃度的摻雜的第二區域，其中所述第二濃度小于所述第一濃度。

3.如權利要求2所述的器件，還包括將所述第二柵極連接至所述源極的金屬連接。

4.如權利要求2所述的器件，其中所述摻雜包括p型摻雜。

5.如權利要求1所述的器件，還包括：

包含鎵的層；

設置在所述包含鎵的層中所述第一柵極下方的第一區域，其中所述第一區域包括第一劑量的注入材料；以及

設置在所述包含鎵的層中所述第二柵極下方的第二區域，其中所述第二區域包括第二劑量的所述注入材料，并且其中所述第二劑量小于所述第一劑量。

6.如權利要求1所述的器件，還包括：

包含鎵的層；

設置在所述第一柵極與所述包含鎵的層之間的第一區域，其中所述第一區域包括具有第一厚度的絕緣材料；以及

設置在所述第二柵極與所述包含鎵的層之間的第二區域，其中所述第二區域包括具有第二厚度的絕緣材料，并且其中所述第二厚度小于所述第一厚度。

7.如權利要求1所述的器件，還包括包含鎵的層，其中所述第一柵極凹入到所述包含鎵的層中第一深度，并且其中所述第二柵極凹入到所述包含鎵的層中第二深度，并且其中所述第二深度小于所述第一深度。

8.一種電子器件，包括：

第一高電子遷移率晶體管HEMT結構，包括：

第一場效應晶體管FET，包括：

包含鎵的層；

第一柵極；

第一源極；以及

第一漏極；以及

第二FET，包括：

所述包含鎵的層；以及

耦合到所述第一源極的第二柵極和第二漏極；以及

耦合到所述第一漏極的第二源極；

其中所述第二FET具有比所述第一FET更低的閾值電壓；以及第二HEMT結構，包括：

單個FET，其中所述單個FET包括：柵極，耦合到所述第一源極的源極，以及耦合到所述第一漏極的漏極，其中所述第二HEMT結構的所述單個FET具有比所述第二FET更高的閾值電壓。

9.如權利要求8所述的電子器件，其中所述第一柵極包括第一接觸和具有第一濃度的摻雜的第一區域，其中所述第二柵極包括第二接觸和具有第二濃度的摻雜的第二區域，并且其中所述第二濃度小于所述第一濃度。

10.如權利要求9所述的電子器件，還包括：

所述包含鎵的層中的源區；以及

將所述第二柵極連接到所述包含鎵的層中的所述源區的金屬連接。

11.如權利要求8所述的電子器件，還包括：

設置在所述包含鎵的層中所述第一柵極下方的第一區域，其中所述第一區域包括第一劑量的氟；以及

設置在所述包含鎵的層中所述第二柵極下方的第二區域，其中所述第二區域包括第二劑量的氟，并且其中所述第二劑量小于所述第一劑量。