[發明專利]半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201711261402.7
• 申請日: 2017-12-04
• 公開（公告）號: CN109212912A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 陳銘鋒;周碩彥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;張福根

半導體裝置的制造方法包含在基底上方提供具有圖案化的吸收層的光掩模，使用具有橫向電(TE)波和橫向磁(TM)波混合的光束照射光掩模，照射包含在圖案化的吸收層的側壁上產生表面等離子體電磁極化子(SPP)，表面等離子體電磁極化子用于抑制橫向磁波，同時反射橫向電波，將目標基底暴露于橫向電波。

技術領域

本公開實施例涉及半導體制造技術，特別涉及使用光刻技術制造半導體裝置的方法。

背景技術

電子工業已經歷對于更小且更快的電子裝置的不斷增加的需求，其同時能夠支援更大量的越來越復雜且精密的功能。因此，在半導體工業上有持續制造低成本、高效能和低功耗的集成電路(integrated circuits，ICs)的趨勢。到目前為止，通過縮減半導體集成電路尺寸(例如最小部件(feature)尺寸)，并且藉此改善生產效率及降低相關成本，這些目標大部分已經實現了。然而，這樣的尺寸縮減也導致半導體制造過程的復雜性增加。因此，在半導體集成電路和裝置上實現持續的進步需要在半導體制造過程和技術方面有類似的進展。

僅作為一個范例，半導體光刻(lithography)工藝可以使用光刻模板(templates)(例如光掩模(photomasks)或簡單地稱為掩模(masks))將圖案光學地轉移到基底上。舉例來說，通過使輻射源的投影穿過介于中間的光掩模或標線片(倍縮光掩模)(reticle)到具有感光(photosensitive)材料(例如光致抗蝕劑(photoresist))涂層的基底上，可以實現這種工藝。通過這種光刻工藝的方式可圖案化的最小部件尺寸受到投影的輻射源的波長限制。有鑒于此，已經引入使用極短波長的輻射，例如極紫外光(extreme ultraviolet，EUV)輻射源。所有的光刻工藝，隨著圖案縮小，都期望能夠維持或甚至提高欲成像的元件圖案之間的成像對比。雖然已經發展出提高成像對比的各種方法，但這些方法仍未在各方面皆適用。

發明內容

根據一些實施例，提供半導體裝置的制造方法。此方法包含選擇具有一波長的輻射的光刻光源，決定出在此波長具有介電函數的實數部分約為-1的組成，在掩模基底上形成一層的此組成，根據布局設計將此層圖案化，以及使用此波長的輻射照射圖案化的層，其中照射包含通過圖案化的層吸收輻射的至少一部分，以及在半導體基底上成像一圖案，此圖案與布局設計有關且由圖案化的層定義。

根據一些實施例，提供半導體裝置的制造方法。此方法包含在基底上方提供具有圖案化的吸收層的光掩模，使用具有橫向電(TE)波和橫向磁(TM)波混合的光束照射光掩模，其中照射包含在圖案化的吸收層的側壁上產生表面等離子體電磁極化子(SPP)，使用表面等離子體電磁極化子抑制橫向磁波，同時反射橫向電波，以及使用橫向電波對目標基底曝光。

根據一些實施例，提供光掩模。此光掩模包含基底，以及形成在基底上方的圖案化吸收層，其中圖案化吸收層具有介電函數的實數部分約為-1的組成，其中圖案化吸收層定義出與半導體集成電路有關的圖案。

附圖說明

通過以下的詳細描述配合所附附圖，可以更加理解本公開實施例的內容。需強調的是，根據產業上的標準慣例，許多部件(feature)并未按照比例繪制。事實上，為了能清楚地討論，各種部件的尺寸可能被任意地增加或減少。

圖1是根據本公開實施例的一些觀點，決定光刻元件的方法的實施例的流程圖。

圖2是根據本公開實施例的一些觀點，經過處理的設計圖案的示范實施例。

圖3是根據本公開實施例的一些觀點，光源分布圖的示范實施例。

圖4A是根據本公開實施例的一些觀點，第一掩模的示范實施例；圖4B是根據本公開實施例的一些觀點，第二種掩模的示范實施例。

圖5是在本公開實施例的一些觀點中使用的光刻系統的示范實施例。

圖6是根據本公開實施例的一些觀點，傳播模式的圖形表示。