[發明專利]一種薄膜晶體管用蝕刻液的制備方法

在審

• 申請號: 201711261397.X
• 申請日: 2017-12-04
• 公開（公告）號: CN108149247A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 劉威
• 申請（專利權）人: 佛山杰致信息科技有限公司
• 主分類號: C23F1/26
• 分類號: C23F1/26
• 代理公司: 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411
• 代理人: 黃冠華

1.一種薄膜晶體管用蝕刻液的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步：將強酸性陽離子交換樹脂加入到重量百分比為1.5％～2.3％氟化氫中，攪拌混合，攪拌的速度為75～90轉/分鐘，攪拌時間為12～20分鐘，然后濾出強酸性陽離子交換樹脂，控制或去除氟化氫中的雜質離子；

第二步：將重量百分比為0.5％～2.3％的氫氧化鈰和五分之一的蒸餾水到入反應釜中，在常溫、常壓下充分攪拌，攪拌時間為5～10分鐘，攪拌速度為55～65轉/分鐘；

第三步：然后加入重量百分比為0.2％～1.8％的鄰氯苯酚，充分攪拌3～5分鐘；加入重量百分比為1.2％～2.6％的丁戊酸，充分攪拌4～6分鐘；加入五分之一的蒸餾水，充分攪拌3～5分鐘；加入重量百分比為1.2％～2.6％的氫氟酸，充分攪拌3～4分鐘；加入重量百分比為1.5％～2.3％的氟化氫，充分攪拌4～6分鐘；加入重量百分比為2.5％～3.3％的非離子表面活性劑，充分攪拌3～5分鐘；加入重量百分比為1.5％～2.6％的消泡劑，充分攪拌1～3分鐘；最后再加滿蒸餾水，再攪拌10～15分鐘，攪拌速度為65～80轉/分鐘；

第五步：最后將制得的混合物經0.12～0.16μm的過濾器過濾，以去除混合物中粒徑大于0.12～0.16μm的有害粒子，制得所需蝕刻液，其表面張力低為50～70×10^-3N/m，結晶溫度為-25～0℃。

2.如權利要求1所述的一種薄膜晶體管用蝕刻液的制備方法，其特征在于，所述氫氧化鈰的濃度大于95.5％(重量百分比)，所述鄰氯苯酚的濃度大于97.5％(重量百分比)，所述丁戊酸的濃度大于89％(重量百分比)，所述氫氟酸的濃度大于89％(重量百分比)，所述氟化氫的濃度大于75％(重量百分比)。

3.如權利要求1所述的一種薄膜晶體管用蝕刻液的制備方法，其特征在于，所述非離子表面活性劑為司盤類非離子表面活性劑。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管用蝕刻液的制備方法，其特征在于，所述強酸性陽離子交換樹脂為強酸性苯乙烯系陽離子交換樹脂。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管用蝕刻液的制備方法，其特征在于，所述強酸性陽離子交換樹脂與氟化氫的質量比為0.6～0.9。