[發(fā)明專利]近紅外晶格失配探測器緩沖層

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711261228.6
• 申請日: 2017-12-04
• 公開（公告）號: CN108022986B
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉尚軍;趙紅;周勇;劉萬清;楊曉波;丁時浩;吳唯
• 申請（專利權(quán)）人: 中電科技集團重慶聲光電有限公司
• 主分類號: H01L31/0304
• 分類號: H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18
• 代理公司: 重慶樂泰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 50221
• 代理人: 劉佳

1.一種近紅外晶格失配探測器緩沖層，其特征在于，包括依次形成于襯底上的組分漸變層、應(yīng)力釋放層、低溫緩沖層和高溫緩沖層，針對所述組分漸變層中由下至上的各個子漸變層，其對應(yīng)In或As組分比例逐漸增大，所述應(yīng)力釋放層與組分漸變層的組分相同，針對所述應(yīng)力釋放層的各個組分，其組分比例與所述應(yīng)力釋放層相鄰子漸變層中對應(yīng)組分比例相同；

所述高溫緩沖層的應(yīng)變?yōu)镸，所述組分漸變層的應(yīng)變?yōu)镹，滿足0.4M≤N≤0.9M；即，組分漸變層的失配與高溫緩沖層的失配不相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外晶格失配探測器緩沖層，其特征在于，所述襯底為InP襯底，所述組分漸變層的組分包括InaGa1-aAs、InbAl1-bAs和InAs_cP_1-c中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的近紅外晶格失配探測器緩沖層，其特征在于，所述InP襯底的晶向為[001]，a的取值范圍為0.53～0.95，b的取值范圍為0.53～0.95，c的取值范圍為0～0.9。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外晶格失配探測器緩沖層，其特征在于，所述組分漸變層在被循環(huán)退火后生長所述應(yīng)力釋放層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的近紅外晶格失配探測器緩沖層，其特征在于，所述循環(huán)退火的溫度為400～700℃，退火時間為1～10分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外晶格失配探測器緩沖層，其特征在于，所述低溫緩沖層和高溫緩沖層的組分相同且各個組分的比例相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的近紅外晶格失配探測器緩沖層，其特征在于，所述低溫緩沖層在400～600℃下生成，所述高溫緩沖層在550～700℃下生成。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的近紅外晶格失配探測器緩沖層，其特征在于，所述低溫緩沖層和高溫緩沖層的組分表示為：In_xGa_1-xAs，x為大于0且小于1的任意數(shù)值。