[發明專利]氧化鋅/氧化鎵核殼微米線及其制備方法、日盲紫外探測器

在審

• 申請號: 201711260195.3
• 申請日: 2017-12-04
• 公開（公告）號: CN107978657A
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 王飛;趙斌;王云鵬;趙東旭
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/102
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 張雪嬌,趙青朵

1.一種氧化鋅/氧化鎵核殼微米線的制備方法，其特征在于，包括：

S1)將氧化鋅、氧化鎵與碳混合研磨，得到混合粉末；

S2)以所述混合粉末為原料，在設置有氧化鋅籽晶層的襯底上進行第一次化學氣相沉積，生長氧化鋅微米線；然后繼續升溫，進行第二次化學氣相沉積，在氧化鋅微米線上生長氧化鎵，得到氧化鋅/氧化鎵核殼微米線。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鋅、氧化鎵與碳的質量比為1：(0.05～0.5)：(0.8～1.5)。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鋅籽晶層的厚度為50～200nm。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一次化學氣相沉積的升溫速度為20℃/min～30℃/min；所述第一次化學氣相沉積的溫度為900℃～1000℃；所述第一次化學氣相沉積的時間為8～15min。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二次化學氣相沉積的升溫速度為5℃/min～15℃/min；所述第二次化學氣相沉積的溫度為1100℃～1200℃；所述第二次化學氣相沉積的時間為30～50min。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一次化學氣相沉積與第二次化學沉積均在通入保護氣體中進行；所述保護氣體為氬氣。

7.權利要求1～6任意一項所制備的氧化鋅/氧化鎵核殼微米線，其特征在于，包括核層與殼層；所述核層為氧化鋅微米線；所述殼層為β-氧化鎵單晶薄膜。

8.根據權利要求7所述的氧化鋅/氧化鎵核殼微米線，其特征在于，所述核層的厚度為5～10μm；所述殼層的厚度為200～900nm。

9.一種日盲紫外探測器，其特征在于，包括權利要求1～6任意一項所制備的氧化鋅/氧化鎵核殼微米線。

10.根據權利要求9所述的日盲紫外探測器，其特征在于，包括：

權利要求1～6任意一項所制備的氧化鋅/氧化鎵核殼微米線；

與所述氧化鋅/氧化鎵核殼微米線氧化鋅核層相連的第一金屬電極；

與所述氧化鋅/氧化鎵核殼微米線氧化鎵殼層相連的第二金屬電極。