[發明專利]一種多晶硅TFT基板的制作方法及多晶硅TFT基板

有效

• 申請號: 201711258888.9
• 申請日: 2017-12-04
• 公開（公告）號: CN108198754B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 劉丹
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/336;H01L29/786;H01L29/10
• 代理公司: 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙) 44238
• 代理人: 潘中毅;熊賢卿

1.一種多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括下述步驟：

步驟S10，在襯底基板上沉積非晶硅膜層；

步驟S11，對所述非晶硅膜層進行準分子激光退火，形成多晶硅有源層；

步驟S12，在離子注入機中設置第一注入能量值、第一注入角度以及硼離子濃度值，以所述第一注入能量值控制將含硼離子材料以所述第一注入角度注入至所述多晶硅有源層的溝道區域，以對所述多晶硅有源層的溝道區域進行離子摻雜，形成溝道摻雜區；

步驟S13，在所述多晶硅有源層上沉積形成柵極絕緣層；

步驟S14，在離子注入機中設置第二注入能量值以及氫離子濃度，以所述第二注入能量值控制將氫離子以靶向角度注入至所述多晶硅有源層的溝道區域，使所述氫離子與游離的硼離子形成硼-氫復合體；

步驟S15，在所述柵極絕緣層上沉積形成柵極層；

步驟S16，對所述多晶硅有源層的源極區與漏極區進行離子摻雜，形成源極摻雜區和漏極摻雜區；

步驟S17，在所述柵極層上沉積形成層間絕緣層；

步驟S18，在所述層間絕緣層上正對所述源極摻雜區以及漏極摻雜區的位置形成第一過孔以及第二過孔，在所述第一過孔和第二過孔中分別沉積形成源電極膜層和漏電極膜層，使所述源電極膜層通過所述第一過孔與所述多晶硅有源層的源極摻雜區電連接，使所述漏電極膜層通過所述第二過孔與所述多晶硅有源層的漏極摻雜區電連接；

步驟S19，在所述層間絕緣層上形成平坦層，在所述平坦層上正對所述漏電極膜層的位置形成第三過孔；

步驟S20，在所述平坦層上形成像素電極層，使所述像素電極層延伸至所述第三過孔中，并與所述漏電極膜層電連接。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硼離子材料為B₂H₆或BF₃。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步驟S16中進一步包括：

對所述多晶硅有源層的源極摻雜區、漏極摻雜區與所述溝道區之間進行離子摻雜，分別形成一個摻雜緩沖區。

4.一種多晶硅TFT基板，其特征在于，通過上述權利要求1-3任一項的方法制成，所述多晶硅TFT基板包括：

襯底基板；

多晶硅有源層，其通過在所襯底基板上沉積非晶硅膜層，并進行準分子激光退火所形成；所述多晶硅有源層包括位于中間的溝道摻雜區、位于溝道摻雜區兩側的源漏摻雜區，其中，在溝道摻雜區中采用離子注入機注入有氫離子；

柵極絕緣層，沉積形成于所述多晶硅有源層上；

柵極層，沉積形成于所述柵極絕緣層上；

層間絕緣層，沉積形成于所述柵極層上，在所述層間絕緣層上正對所述源極摻雜區以及漏極摻雜區的位置形成有第一過孔以及第二過孔，在所述第一過孔和第二過孔中分別沉積形成有源電極膜層和漏電極膜層，所述源電極膜層通過所述第一過孔與所述多晶硅有源層的源極摻雜區電連接，所述漏電極膜層通過所述第二過孔與所述多晶硅有源層的漏極摻雜區電連接。

5.如權利要求4所述的多晶硅TFT基板，其特征在于，進一步包括：

平坦層，設置于所述層間絕緣層上，在所述平坦層上正對所述漏電極膜層的位置形成有第三過孔；

像素電極層，設置于所述平坦層上，所述像素電極層延伸至所述第三過孔中，并與所述漏電極膜層電連接。

6.如權利要求5所述的多晶硅TFT基板，其特征在于，在所述多晶硅有源層的源極摻雜區、漏極摻雜區與所述溝道區之間通過離子摻雜分別形成有一個摻雜緩沖區。