[發明專利]一種半導體封裝模具的型腔加工工藝在審
| 申請號: | 201711258344.2 | 申請日: | 2017-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN108161380A | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發明(設計)人: | 王德霄;賁春香;劉鵬 | 申請(專利權)人: | 南通斯邁爾精密設備有限公司 |
| 主分類號: | B23P15/24 | 分類號: | B23P15/24 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 226000 江蘇省南通*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體封裝模具 半精加工 精加工 磨削 磨床 后處理 熱處理 加工效率 銑削 模具 加工 | ||
1.一種半導體封裝模具的型腔加工工藝,其特征在于包括如下步驟:
a、銑削粗加工,將待加工的模具鋼材固定到銑床上,進行型腔幾個面的加工,控制切削速度為100~130m/min,進給量為0.2~0.3mm/tooth,銑削時每個加工面留有0.2~0.3mm的余量;
b、CNC粗加工,對步驟a粗加工完成的模具安裝到CNC加工中心,對型腔進行CNC粗加工,控制粗加工鉆孔時的鉆孔速度為10~12m/min,進給量為0.05~0.1mm/r;銑削加工的銑削速度為130~160m/min,進給量為0.2~0.4mm/tooth;
c、熱處理,將步驟b完成的模具先淬火,再深冷處理和回火交替進行,使硬度達到HRC63-65度;
d、 磨削粗加工,將步驟c熱處理后的模具放置到磨床上對型腔的幾個面進行磨削加工,使得每個面的平行度,垂直度以及平面度在0.02mm以內;
e、 磨削半精加工,對模具的型腔進行再一次加工,去除銑削加工留下的余量;
f、CNC半精加工,將步驟e加工后的型腔安裝到轉速達18000~42000r/min,位置精度0.005mm的高速高精度數控加工中心內對型腔進行半精加工,控制精加工的主軸轉速為18000~42000r/min,進給量為0.02~0.1mm/r,采用M609碳化鎢材質直徑為0.2~2mm的平頭型和球形銑刀,對型腔進行下刀量為0.01~0.05mm的分層型腔銑削,最終型腔單邊預留0.01~0.03mm的加工余量;
g、 CNC精加工,將步驟f加工后的型腔仍安置于數控加工中心內對型腔進行精加工,控制精加工的主軸轉速為25000~42000r/min,進給量為0.02~0.1mm/r,采用M609碳化鎢材質的定制錐形銑刀,銑刀的刀尖直徑為0.2~2mm,單側角度為3~15°,對型腔進行深度輪廓精銑削至圖紙要求尺寸;
h、磨床精加工,進一步對步驟g加工后的型腔各表面進行磨削加工,使得尺寸達到規定要求;
i、后處理,對型腔內進行去毛刺操作,并進行單面2~3μm電鍍或PVD涂層處理。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝模具的型腔加工工藝,其特征在于:所述步驟a中模具鋼材選用ASP23粉末冶金高速鋼。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝模具的型腔加工工藝,其特征在于:所述步驟c中淬火步驟為,將模具置于真空爐內,在保護氣體內淬火,在500-550℃和850-900℃分2部分預熱,在1145℃下,保溫18分鐘環境下奧式體化,并緩冷至40-50℃,得到HRC63-65度的硬度。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝模具的型腔加工工藝,其特征在于:所述步驟c中回火步驟為,將模具置于真空爐內,在保護氣體內分三次回火,每次回火溫度為560℃,保溫時間至少1小時,然后冷卻至室溫,使工件殘余奧式體量小于1%。
5. 根據權利要求1所述的半導體封裝模具的型腔加工工藝,其特征在于: 所述步驟c中深冷處理步驟為,將模具置于-150℃至-196℃的環境內保溫1-3小時進行深冷處理,以獲得穩定的尺寸。
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