[發明專利]一種隔離耦合結構

有效

• 申請號: 201711257609.7
• 申請日: 2017-12-04
• 公開（公告）號: CN109872869B
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 鄭榮霈;張湘忠;陳佑民;鄭杰文;歐宗翰;董利銘
• 申請（專利權）人: 萬國半導體（開曼）股份有限公司
• 主分類號: H01F38/14
• 分類號: H01F38/14;H01F27/28
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 董科

1.一種隔離耦合結構，應用于信號傳遞，其特征在于，包括：

一第一介電層，所述第一介電層包括一第一表面以及與所述第一表面相背的一第二表面；

一第一耦合線圈，設置于所述第一表面，所述第一耦合線圈于所述第一表面圍合形成一內部區域；

一第二耦合線圈，被配置成與所述第一耦合線圈互感；其中

所述第二耦合線圈包括一第一線圈部及一第二線圈部，所述第一線圈部設置于所述第二表面，所述第二線圈部設置于所述第一表面，并位于所述內部區域內，所述第二線圈部與所述第一耦合線圈隔離，所述第一線圈部與所述第二線圈部電連接；

還包括：

一第二介電層，覆蓋于所述第二表面，以使所述第一線圈部處于所述第一介電層及所述第二介電層之間；

一第一焊盤組，包括一第一焊盤、一第二焊盤，所述第一焊盤組設置于所述第二介電層背向所述第一介電層的一面上，所述第一焊盤及所述第二焊盤分別對應電連接所述第一耦合線圈的兩端； 以及

一第二焊盤組，包括一第三焊盤、一第四焊盤，所述第二焊盤組設置于所述第二介電層背向所述第一介電層的一面上，所述第三焊盤及所述第四焊盤分別對應電連接所述第二耦合線圈的兩端；

所述第二介電層的厚度大于等于一第一預定距離，一第二過孔于任意方向與所述第一介電層的邊緣的距離均大于等于所述第一預定距離，一第二過孔與所述第一線圈部于任意方向的距離均大于等于所述第一預定距離；

所述第一耦合線圈的兩端包括一第一外圈連接點；

所述第一焊盤通過連續穿透所述第一介電層以及所述第二介電層的所述第二過孔電連接所述第一外圈連接點。

2.一種隔離耦合結構，應用于信號傳遞，其特征在于，包括：

一第一介電層，所述第一介電層包括一第一表面以及與所述第一表面相背的一第二表面；

一第一耦合線圈，設置于所述第一表面，所述第一耦合線圈于所述第一表面圍合形成一內部區域；

一第二耦合線圈，被配置成與所述第一耦合線圈互感；其中

所述第二耦合線圈包括一第一線圈部及一第二線圈部，所述第一線圈部設置于所述第二表面，所述第二線圈部設置于所述第一表面，并位于所述內部區域內，所述第二線圈部與所述第一耦合線圈隔離，所述第一線圈部與所述第二線圈部電連接；

還包括：

一第二介電層，覆蓋于所述第二表面，以使所述第一線圈部處于所述第一介電層及所述第二介電層之間；

一第一焊盤組，包括一第一焊盤、一第二焊盤，所述第一焊盤組設置于所述第二介電層背向所述第一介電層的一面上，所述第一焊盤及所述第二焊盤分別對應電連接所述第一耦合線圈的兩端； 以及

一第二焊盤組，包括一第三焊盤、一第四焊盤，所述第二焊盤組設置于所述第二介電層背向所述第一介電層的一面上，所述第三焊盤及所述第四焊盤分別對應電連接所述第二耦合線圈的兩端；所述第一耦合線圈的兩端包括一第一內圈連接點；

所述第二表面上設置有一第一過線，所述第一過線的一端通過穿透所述第一介電層的一第三過孔電連接所述第一內圈連接點，所述第一過線的另一端通過穿透所述第二介電層的一第四過孔電連接所述第二焊盤。

3.如權利要求2所述的隔離耦合結構，其特征在于，所述第一過線位于所述第一線圈部圍合的區域以外。

4.如權利要求2所述的隔離耦合結構，其特征在于，所述第三過孔與所述第一線圈部于任意方向的距離均大于等于一第一預定距離；和/或

所述第一過線與所述第一線圈部于任意方向的距離均大于等于所述第一預定距離。

5.如權利要求2所述的隔離耦合結構，其特征在于，所述第四過孔于任意方向與所述第一介電層的邊緣的距離均大于等于一第一預定距離。