[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711257479.7
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN108054172B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 晏國文
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種陣列基板，其特征在于，包括多個薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：

有源層，所述有源層包括主溝道區(qū)和邊緣溝道區(qū)，在沿第一方向上，所述邊緣溝道區(qū)位于所述主溝道區(qū)的兩側(cè)；

柵極，沿所述第一方向延伸，所述柵極在所述有源層所在平面的正投影覆蓋所述主溝道區(qū)和所述邊緣溝道區(qū)；

其中，至少一側(cè)的所述邊緣溝道區(qū)的載流子濃度小于所述主溝道區(qū)的載流子濃度；所述邊緣溝道區(qū)的載流子濃度與所述主溝道區(qū)的載流子濃度的比值等于10^-5；所述邊緣溝道區(qū)經(jīng)過氧等離子體處理，以降低所述邊緣溝道區(qū)的載流子濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述邊緣溝道區(qū)的載流子濃度大于等于10¹⁶/cm^-3，且小于10¹⁹/cm^-3；

所述主溝道區(qū)的載流子濃度大于等于10¹⁹/cm^-3，且小于等于10²¹/cm^-3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

位于所述主溝道區(qū)兩側(cè)的所述邊緣溝道區(qū)的載流子濃度均小于所述主溝道區(qū)的載流子濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述邊緣溝道區(qū)氧含量大于所述主溝道區(qū)氧含量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述邊緣溝道區(qū)的表面與所述有源層的底面形成坡度角。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，

由所述邊緣溝道區(qū)的第一邊界指向所述主溝道區(qū)的方向上，所述邊緣溝道區(qū)的載流子數(shù)量逐漸變大，其中，所述第一邊界為所述邊緣溝道區(qū)的遠(yuǎn)離所述主溝道區(qū)的邊界。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述邊緣溝道區(qū)沿所述第一方向上的長度為0.1～1μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述有源層的制作材料為氧化物半導(dǎo)體材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

第一絕緣層，位于所述有源層和所述柵極之間；

第二絕緣層，位于所述柵極之上；

源極和漏極，位于所述第二絕緣層之上；

所述有源層還包括沿第二方向上位于所述主溝道區(qū)兩側(cè)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域，所述源極和所述漏極分別通過過孔與所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域連接，其中，所述第二方向與所述第一方向相交，且與所述柵極所在的平面平行。

10.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板包括多個薄膜晶體管，所述制作方法包括：

制作所述薄膜晶體管的有源層，所述有源層包括主溝道區(qū)和邊緣溝道區(qū)，在沿第一方向上，所述邊緣溝道區(qū)位于所述主溝道區(qū)的兩側(cè)，至少一側(cè)的所述邊緣溝道區(qū)的載流子濃度小于所述主溝道區(qū)的載流子濃度；

制作所述薄膜晶體管的柵極，所述柵極沿所述第一方向延伸，所述柵極在所述有源層所在平面的正投影覆蓋所述主溝道區(qū)和所述邊緣溝道區(qū)；

制作所述薄膜晶體管的有源層，所述有源層包括主溝道區(qū)和邊緣溝道區(qū)的步驟，具體為：

采用氧化物半導(dǎo)體材料制作有源層薄膜；

采用濕刻工藝刻蝕所述有源層薄膜形成所述有源層的圖案，刻蝕后保留光刻膠；

對至少一側(cè)的所述邊緣溝道區(qū)進(jìn)行氧等離子體處理；

去除所述光刻膠。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，制作所述薄膜晶體管的有源層，所述有源層包括主溝道區(qū)和邊緣溝道區(qū)的步驟進(jìn)一步包括：

位于所述主溝道區(qū)兩側(cè)的所述邊緣溝道區(qū)的載流子濃度均小于所述主溝道區(qū)的載流子濃度。