[發(fā)明專(zhuān)利]電池保護(hù)系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711256068.6
• 申請(qǐng)日: 2017-12-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107968383A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 常星;田文博;王釗
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南京中感微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02H7/18
• 分類(lèi)號(hào): H02H7/18
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本發(fā)明提供一種電池保護(hù)系統(tǒng)，其包括：正電源端、負(fù)電源端、電池組、電池保護(hù)電路和充放電開(kāi)關(guān)組合。所述電池保護(hù)電路包括電壓檢測(cè)比較器，其用于檢測(cè)第三檢測(cè)端的電壓是否大于或小于參考閾值電壓。所述電壓檢測(cè)比較器包括第一可調(diào)電阻Ru、第二電阻Rd、第三電阻Re、第四電阻Rs、第一MOS管M0、第二MOS管M1、第三MOS管M2、第一雙極型晶體管Q0、第二雙極型晶體管Q1、偏置電流源Ibias和開(kāi)關(guān)組合電路。所述電壓檢測(cè)比較器可以通過(guò)自調(diào)降低或消除輸入偏差對(duì)參考閾值電壓精度的影響，從而使修調(diào)及封裝后芯片的翻轉(zhuǎn)閾值精度統(tǒng)一性良好，進(jìn)而提高所述電池保護(hù)系統(tǒng)的準(zhǔn)確性。

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電池保護(hù)系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】

電池保護(hù)電路中存在電壓檢測(cè)比較器及電流檢測(cè)比較器。電壓檢測(cè)比較器又分為過(guò)充電壓檢測(cè)比較器及過(guò)放電壓檢測(cè)比較器。芯片閾值最終需要校正，由于對(duì)過(guò)充電壓要求較高，校正修調(diào)過(guò)程中均以過(guò)充電壓閾值為準(zhǔn)調(diào)整。但在不同應(yīng)力作用下，會(huì)產(chǎn)生不同的offset(偏差)，終將影響芯片閾值的精度。

因此，有必要提供一種改進(jìn)的技術(shù)方案來(lái)解決上述問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明的目的在于提供一種電池保護(hù)系統(tǒng)，其具有改進(jìn)的電壓檢測(cè)比較器，其可以通過(guò)自調(diào)降低或消除輸入偏差對(duì)翻轉(zhuǎn)閾值(也稱(chēng)參考閾值電壓或比較閾值電壓)精度的影響，從而使修調(diào)及封裝后芯片的翻轉(zhuǎn)閾值精度統(tǒng)一性良好，進(jìn)而提高所述電池保護(hù)系統(tǒng)的準(zhǔn)確性。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種電池保護(hù)系統(tǒng)，其包括：正電源端；負(fù)電源端；電池組，其正極與正電源端相連；電池保護(hù)電路，其第一電源檢測(cè)端與所述電池組的正極相連，其第二電源檢測(cè)端與所述電池組的負(fù)極相連，其第三電源檢測(cè)端與所述負(fù)電源端相連；充放電開(kāi)關(guān)組合，其連接于所述電池組的負(fù)極與負(fù)電源端之間，其第一控制端與所述電池保護(hù)電路的放電控制端相連，其第二控制端與所述電池保護(hù)電路的充電控制端相連；所述電池保護(hù)電路包括電壓檢測(cè)比較器，其用于檢測(cè)第三檢測(cè)端的電壓是否大于或小于參考閾值電壓。電壓檢測(cè)比較器包括第一可調(diào)電阻Ru、第二電阻Rd、第三電阻Re、第四電阻Rs、第一MOS管M0、第二MOS管M1、第三MOS管M2、第一雙極型晶體管Q0、第二雙極型晶體管Q1、偏置電流源Ibias和開(kāi)關(guān)組合電路，其中，所述第一可調(diào)電阻Ru和第二電阻Rd依次串聯(lián)于第三電源檢測(cè)端和接地端G之間，第一MOS管M0的第一連接端與第三電源檢測(cè)端相連，其控制端與第一雙極型晶體管Q0的第一連接端相連，第一雙極型晶體管Q0的第二連接端經(jīng)依次串聯(lián)的第三電阻Re和第四電阻Rs接地，所述第一雙極型晶體管Q0的控制端與第一可調(diào)電阻Ru和第二電阻Rd之間的連接節(jié)點(diǎn)相連；所述第二MOS管M1的第一連接端與第三電源檢測(cè)端相連，其控制端與第一MOS管M0的控制端相連，第二雙極型晶體管Q1的控制端與第一雙極型晶體管Q0的控制端相連，第二雙極型晶體管Q1的第二連接端與第三電阻Re和第四電阻Rs之間的連接節(jié)點(diǎn)相連；第三MOS管M2的第一連接端與第三電源檢測(cè)端相連，其第二連接端與電壓檢測(cè)比較器的輸出端OUT相連，其控制端與第二雙極型晶體管Q1的第一連接端相連；偏置電流源Ibias的輸入端與電壓檢測(cè)比較器的輸出端OUT，偏置電流源Ibias的輸出端接地，所述開(kāi)關(guān)組合電路包括第一連接端、第二連接端、第三連接端和第四連接端，所述開(kāi)關(guān)組合電路的第一連接端與第一MOS管M0的第二連接端相連，所述開(kāi)關(guān)組合電路的第二連接端與第二MOS管M1的第二連接端相連，所述開(kāi)關(guān)組合電路的第三連接端與第一雙極型晶體管Q0的第一連接端相連，所述開(kāi)關(guān)組合電路的第四連接端與第二雙極型晶體管Q1的第一連接端相連，所述開(kāi)關(guān)組合電路包括第一連接方式或第二連接方式，當(dāng)所述開(kāi)關(guān)組合電路處于第一連接方式時(shí)，使第一MOS管M0的第二連接端與第一雙極型晶體管Q0的第一連接端相連，使第二MOS管M1的第二連接端與第二雙極型晶體管Q1的第一連接端相連；當(dāng)所述開(kāi)關(guān)組合電路處于第二連接方式時(shí)，使第一MOS管M0的第二連接端與第二雙極型晶體管Q1的第一連接端相連，使第二MOS管M1的第二連接端與第一雙極型晶體管Q0的第一連接端相連。