[發明專利]具有并聯電感電路的多爾蒂放大器及放大器模塊

有效

• 申請號: 201711255527.9
• 申請日: 2017-12-01
• 公開（公告）號: CN108233876B
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發明（設計）人: 吳宇庭;恩維爾·克爾瓦瓦茨;約瑟夫·格拉德·舒爾茨
• 申請（專利權）人: 恩智浦美國有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種放大器模塊，其特征在于，包括：

具有安裝表面的基板；

耦合到所述安裝表面的第一功率晶體管管芯，其中所述第一功率晶體管管芯包括集成在所述第一功率晶體管管芯內的第一晶體管，且其中所述第一晶體管包括第一漏極端和對應于所述第一漏極端的第一本征漏極節點；

耦合到所述安裝表面的第二功率晶體管管芯，其中所述第二功率晶體管管芯包括集成在所述第二功率晶體管管芯內的第二晶體管，其中所述第二晶體管包括第二漏極端和對應于所述第二漏極端的第二本征漏極節點，且其中所述第一功率晶體管管芯和所述第二功率晶體管管芯被布置成具有至少為+/-45度的角向間隔；

連接在所述第一漏極端與所述第二漏極端之間的相移及阻抗反演元件，其中所述第一本征漏極節點與所述第二本征漏極節點之間的總電長度為九十度，且所述相移及阻抗反演元件具有小于九十度的第一電長度；以及

耦合到第一導電端的第一并聯電感電路，其中所述第一并聯電感電路包括具有第一電感值的第一并聯電感，所述第一并聯電感至少部分地諧振掉所述第一晶體管的漏極-源極電容而影響所述相移及阻抗反演元件的所述第一電長度。

2.根據權利要求1所述的放大器模塊，其特征在于，所述第一并聯電感電路包括：

呈第一焊線陣列形式的所述第一并聯電感，其處于所述第一漏極端與導電觸點之間；及

并聯電容，其具有耦合到所述導電觸點的第一端和被配置成耦合到接地參考的第二端。

3.根據權利要求2所述的放大器模塊，其特征在于，所述并聯電容具有在所述導電觸點處產生射頻(RF)冷點的電容值，且其中所述放大器模塊進一步包括：

導電路徑，其被配置成接收所述RF冷點處的偏置電壓。

4.根據權利要求1所述的放大器模塊，其特征在于，所述并聯電感電路包括：

呈第一焊線陣列形式的所述第一并聯電感，其處于所述第一漏極端與第一導電觸點之間；

呈片狀電感器形式的第二并聯電感，其具有耦合到所述第一導電觸點的第一端和耦合到第二導電觸點的第二端；以及

并聯電容，其具有耦合到所述第二導電觸點的第一端和被配置成耦合到接地參考的第二端。

5.根據權利要求4所述的放大器模塊，其特征在于，所述并聯電容具有在所述導電觸點處產生射頻(RF)冷點的電容值，且其中所述放大器模塊進一步包括：

導電路徑，其被配置成接收所述RF冷點處的偏置電壓。

6.根據權利要求1所述的放大器模塊，其特征在于，進一步包括：

耦合到第二導電端的第二并聯電感電路，其中所述第二并聯電感電路包括具有第二電感值的第二并聯電感，所述第二并聯電感至少部分地諧振掉所述第二晶體管的漏極-源極電容而進一步影響所述相移及阻抗反演元件的所述電長度。

7.根據權利要求1所述的放大器模塊，其特征在于，所述第一功率晶體管管芯是多爾蒂功率放大器的載波放大器管芯，且所述第二功率晶體管管芯是多爾蒂功率放大器的峰化放大器管芯。

8.根據權利要求1所述的放大器模塊，其特征在于，所述第一功率晶體管管芯是多爾蒂功率放大器的峰化放大器管芯，且所述第二功率晶體管管芯是多爾蒂功率放大器的載波放大器管芯。

9.根據權利要求1所述的放大器模塊，其特征在于，所述第一功率晶體管管芯和所述第二功率晶體管管芯是彼此垂直地被布置。

10.一種多爾蒂放大器，其特征在于，包括根據前述任意一項權利要求所述的放大器模塊。