[發明專利]金剛線切割單晶硅片專用堿制絨添加劑及其使用方法

在審

• 申請號: 201711255218.1
• 申請日: 2017-12-03
• 公開（公告）號: CN108130598A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 陳國濤;夏慶鋒;鄭慶剛
• 申請（專利權）人: 寧波道樂新材料科技有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C30B29/06;H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種金剛線切割單晶硅片專用堿制絨添加劑，其特征在于：包括如下組分：多元醇，聚乙烯醇，陰離子表面活性劑，水溶性硅基消泡劑，硅酸鈉和去離子水，多元醇的重量含量為0.5-5%，聚乙烯醇的重量含量為0.2-2%，表面活性劑重量含量為0.02-0.2%，水溶性硅基消泡劑重量含量為0.01-1%，硅酸鈉重量含量為0.5-5%，余量為去離子水。

2.根據權利要求1所述的金剛線切割單晶硅片專用堿制絨添加劑，其特征在于：所述多元醇為季戊四醇、木糖醇或山梨糖醇。

3.根據權利要求1所述的金剛線切割單晶硅片專用堿制絨添加劑，其特征在于：所述聚乙烯醇的醇解度為88%或98%。

4.根據權利要求1所述的金剛線切割單晶硅片專用堿制絨添加劑，其特征在于：所述陰離子表面活性劑為磺酸鹽表面活性劑、磷酸鹽表面活性劑或羧酸鹽表面活性劑。

5.根據權利要求1所述的金剛線切割單晶硅片專用堿制絨添加劑，其特征在于：所述上述添加劑在金剛線切割單晶硅片堿制絨工藝中的使用方法包括如下步驟：

a) 配制添加劑：將多元醇、聚乙烯醇、陰離子表面活性劑、水溶性硅基消泡劑、硅酸鈉溶解于去離子中，得到添加劑；其中，多元醇的重量含量為0.5-5%；聚乙烯醇的重量含量為0.2-2%；陰離子表面活性劑重量含量為0.02-0.2%；硅基消泡劑重量含量為0.01-1%；硅酸鈉重量含量為0.5-5%；

b)配制堿制絨液：將氫氧化鈉或者氫氧化鉀溶于去離子水中得到堿混合液，而后將步驟a)制得的添加劑加入到該堿混合溶液中，得到堿性制絨液；其中，氫氧化鈉或氫氧化鉀的重量含量為0.5-3%；添加劑的重量含量為0.5-5%；

c)制絨：將金剛線切割單晶硅片浸沒入步驟b)所獲得的堿性制絨液中進行制絨。

6.根據權利要求5所述的金剛線切割單晶硅片專用堿制絨添加劑，其特征在于：所述步驟c)中，制絨過程中的制絨溫度為75-90℃，制絨時間為300-1200s。