[發(fā)明專利]一種熔斷器及其制備方法

有效

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• 申請日: 2017-12-02
• 公開（公告）號: CN109872926B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 簡佩;韓玉成;茍廷剛;周婉恬;芮家群;周浩;婁經(jīng)紅
• 申請（專利權）人: 中國振華集團云科電子有限公司
• 主分類號: H01H69/02
• 分類號: H01H69/02
• 代理公司: 昆明合眾智信知識產(chǎn)權事務所 53113
• 代理人: 張璽

本發(fā)明公開了一種熔斷器及其制備方法，包括以下步驟：(1)背電極制作：在陶瓷基片背面印刷背電極，然后燒結；(2)絕緣層制作：在已經(jīng)燒結好背電極的陶瓷基片正面印刷一層絕緣漿料，然后燒結；(3)熔斷體制作：在已經(jīng)燒結好背電極的陶瓷基片正面印刷熔斷體，然后燒結；(4)制作包封層：在燒結好熔斷體的陶瓷基片上印刷三層高溫包封玻璃漿料和高溫標識，然后進行燒結；(5)一次裂片；(6)二次裂片：將進行一次裂片之后的陶瓷基片進行二次裂片；(7)電鍍：對二次裂片后的陶瓷基片依次鍍鎳、鍍錫，保證鎳層厚度為3～12μm、錫層厚度為5～18μm。經(jīng)由本發(fā)明優(yōu)化方工藝后，熔斷器在做DPA分析的過程中未出現(xiàn)鎳層分層現(xiàn)象。

技術領域

本發(fā)明屬于電子器件技術領域，具體涉及一種熔斷器及其制備方法。

背景技術

熔斷器(fuse)是指當電流超過規(guī)定值時，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣泛應用于高低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設備中，作為短路和過電流的保護器，是應用最普遍的保護器件之一。其中，JFM方管式熔斷器共有7個型號，其中2.8A、3.5A按照工藝要求需將熔斷體進行并聯(lián)，則陶瓷基片正面和陶瓷基片背面均需要進行絲網(wǎng)印刷絕緣層、熔斷體層以及電極層。

現(xiàn)有技術中的熔斷器制作工藝方法的存在一些不足，例如現(xiàn)有方管熔斷器在做DPA分析的過程中，容易出現(xiàn)鎳層分層現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種熔斷器的制備方法，避免鎳層分層現(xiàn)象的發(fā)生。

本發(fā)明的技術方案為：一種熔斷器的制備方法，包括以下步驟：

(1)背電極制作：在陶瓷基片背面印刷背電極，然后燒結；

(2)絕緣層制作：在已經(jīng)燒結好背電極的陶瓷基片正面印刷一層絕緣漿料，然后燒結；

(3)熔斷體制作：在已經(jīng)燒結好背電極的陶瓷基片正面印刷熔斷體，然后燒結；

(4)制作包封層：在燒結好熔斷體的陶瓷基片上印刷三層高溫包封玻璃漿料和高溫標識，然后進行燒結；

(5)一次裂片：將燒結固化好的陶瓷基片進行一次裂片，并在裂片條的端面濺射端電極，保證端電極將背電極和熔斷體表電極聯(lián)通；

(6)二次裂片：將進行一次裂片之后的陶瓷基片進行二次裂片；

(7)電鍍：對二次裂片后的陶瓷基片依次鍍鎳、鍍錫，保證鎳層厚度為3～12μm、錫層厚度為5～18μm。

作為優(yōu)選，所述背電極制作時，陶瓷基片背面印刷背電極之后，在880℃～920℃溫度下燒結。

作為優(yōu)選，所述絕緣層制作時，在920℃～935℃的高溫下燒結38分鐘～45分鐘。

作為優(yōu)選，所述熔斷體制作時，所述熔斷體的漿料由銀漿和金漿按照質(zhì)量比3:1配制而成，印刷熔斷體之后，在800℃～825℃溫度下燒結25分鐘～35分鐘。

作為優(yōu)選，所述制作包封層時，燒結溫度為550℃～570℃，燒結時間為40分鐘～45分鐘。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果體現(xiàn)在：

在本發(fā)明熔斷器工藝優(yōu)化之前，同一批次約50％的熔斷器在做DPA分析的過程中，都會出現(xiàn)鎳層分層現(xiàn)象，但是經(jīng)由本發(fā)明優(yōu)化方工藝后，熔斷器在做DPA分析的過程中未出現(xiàn)鎳層分層現(xiàn)象。

附圖說明

圖1為本發(fā)明工藝處理之后的效果圖。

具體實施方式

實施例1