[發(fā)明專利]一種晶體硅拋光添加劑及其用于晶體硅拋光的使用方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711252222.2 | 申請日： | 2017-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN107904663A | 公開（公告）日： | 2018-04-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李一鳴;張益榮;張震華;桑丹義;鄧雨微;吳冰 | 申請（專利權(quán)）人： | 紹興拓邦電子科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 長沙星耀專利事務(wù)所(普通合伙)43205 | 代理人： | 許伯嚴(yán) |
| 地址： | 312353 浙江省紹興*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶體 拋光 添加劑 及其 用于 使用方法 | ||
1.一種晶體硅拋光添加劑，其特征在于，包括以下成分：檸檬酸鈉、棕櫚酸、十六烷基三甲基氧化胺、吐溫和去離子水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅拋光添加劑，其特征在于，其成分的占質(zhì)量百分比如下：
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2所述的一種晶體硅拋光添加劑用于晶體硅拋光的使用方法，其特征在于：選取適量的晶體硅拋光添加劑，在晶體硅拋光添加劑中加入適量的堿性溶液，混合反應(yīng)后，配成拋光液。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種晶體硅拋光添加劑用于晶體硅拋光的使用方法，其特征在于：所述堿性溶液為濃度2.5％-10％的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種晶體硅拋光添加劑用于晶體硅拋光的使用方法，其特征在于：所述晶體硅拋光添加劑與堿性溶液的體積百分比為1.2:100-5:100。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種晶體硅拋光添加劑用于晶體硅拋光的使用方法，其特征在于：所述拋光液的溫度為55℃-80℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種晶體硅拋光添加劑用于晶體硅拋光的使用方法，其特征在于：晶體硅在拋光液中的反應(yīng)時間為120s-300s。
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