[發(fā)明專利]一種使用對(duì)稱陣列參考單元的MRAM芯片在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711251086.5 | 申請(qǐng)日： | 2017-12-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109872740A | 公開（公告）日： | 2019-06-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 戴瑾;俞華樑 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C11/16 | 分類號(hào)： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于曉菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 參考單元 對(duì)稱陣列 讀/寫控制電路 芯片 列地址解碼器 面積使用率 解碼器 對(duì)稱分布 控制電路 行地址 多行 良率 參考 占據(jù) | ||
1.一種使用對(duì)稱陣列參考單元的MRAM芯片，其特征在于，所述對(duì)稱陣列參考單元包括讀/寫控制電路、行地址解碼器以及對(duì)稱分布于所述讀/寫控制電路兩側(cè)的第一MRAM塊和第二MRAM塊；
所述第一MRAM塊和所述第二MRAM塊均包括列地址解碼器和MRAM陣列，所述第一MRAM塊和所述第二MRAM塊共用所述讀/寫控制電路；每一個(gè)所述MRAM陣列有一行或多行參考單元，每一行所述參考單元中有一個(gè)或多個(gè)參考字，進(jìn)行讀操作時(shí)，所述第一MRAM塊和所述第二MRAM塊使用對(duì)面MRAM塊中的所述參考字。
2.如權(quán)利要求1所述的使用對(duì)稱陣列參考單元的MRAM芯片，其特征在于，所述參考單元行位于靠近所述MRAM陣列中間的位置。
3.如權(quán)利要求1所述的使用對(duì)稱陣列參考單元的MRAM芯片，其特征在于，所述MRAM芯片進(jìn)行讀操作時(shí)，所述行地址解碼器打開被讀行，所述第一MRAM塊或所述第二MRAM塊的列地址解碼器選擇被讀字；同時(shí)對(duì)面的所述第二MRAM塊或所述第一MRAM塊的行地址解碼器打開參考行，所述第一MRAM塊或所述第二MRAM塊的列地址解碼器選擇所述參考行的一個(gè)參考字作為參考單元，進(jìn)行讀操作。
4.如權(quán)利要求1所述的使用對(duì)稱陣列參考單元的MRAM芯片，其特征在于，所述多個(gè)參考字通過產(chǎn)線測(cè)試，選擇可用的參考字。
5.如權(quán)利要求1所述的使用對(duì)稱陣列參考單元的MRAM芯片，其特征在于，所述第一MRAM塊和所述第二MRAM塊共享所述列地址解碼器。
6.如權(quán)利要求5所述的使用對(duì)稱陣列參考單元的MRAM芯片，其特征在于，所述MRAM陣列有多于一行參考單元作為備份，通過產(chǎn)線測(cè)試選擇所述參考單元可用的參考單字。
7.如權(quán)利要求1所述的使用對(duì)稱陣列參考單元的MRAM芯片，其特征在于，所述第一MRAM塊的MRAM陣列和所述第二MRAM塊的MRAM陣列行數(shù)不超過256。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海磁宇信息科技有限公司，未經(jīng)上海磁宇信息科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711251086.5/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
