[發明專利]一種黑硅電池的絨面制備方法

在審

• 申請號: 201711249652.9
• 申請日: 2017-12-01
• 公開（公告）號: CN107946386A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 宮欣欣;張林;張昕宇;金浩;鄭晶茗
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

1.一種黑硅電池的絨面制備方法，其特征在于，包括：

在硅片表面旋涂光刻膠制作光刻膠面；

對所述光刻膠面進行激光曝光；

對激光曝光后的光刻膠面進行結構化預處理；

在經過結構化預處理的光刻膠面上制作金屬層；

清洗掉所述光刻膠層；

在所述硅片上進行濕法刻蝕，形成黑硅絨面。

2.根據權利要求1所述的黑硅電池的絨面制備方法，其特征在于，

所述對所述光刻膠面進行激光曝光為：

將所述硅片放置在激光光路中，進行第一次激光曝光，然后將所述硅片旋轉90°，進行第二次激光曝光。

3.根據權利要求1所述的黑硅電池的絨面制備方法，其特征在于，所述對激光曝光后的光刻膠面進行結構化預處理為：

采用顯影液清洗所述硅片，然后再用去離子水清洗所述硅片以去除硅片表面的所述顯影液。

4.根據權利要求1所述的黑硅電池的絨面制備方法，其特征在于，所述在經過結構化預處理的光刻膠面上制作金屬層為：

在經過結構化預處理的光刻膠面上蒸鍍金屬層。

5.根據權利要求1所述的黑硅電池的絨面制備方法，其特征在于，所述在所述硅片上進行濕法刻蝕為：

將所述硅片放置在氫氟酸、硝酸和去離子水的混合溶液中進行反應。

6.根據權利要求2所述的黑硅電池的絨面制備方法，其特征在于，所述第一次激光曝光時間為5-30s，所述第二次激光曝光時間為5-30s。

7.根據權利要求4所述的黑硅電池的絨面制備方法，其特征在于，所述蒸鍍的溫度為300-350℃，蒸鍍電流為60-80mA，蒸鍍時間為5-10min，蒸鍍金屬的厚度為10-50nm。

8.根據權利要求5所述的黑硅電池的絨面制備方法，其特征在于，所述氫氟酸、所述硝酸和所述去離子水的體積比為：0.1-1:1-4:0.5-2.5。

9.根據權利要求5所述的黑硅電池的絨面制備方法，其特征在于，反應溫度為室溫，反應時間30-200s。