[發明專利]超臨界流體制造裝置和基板處理裝置

有效

• 申請號: 201711249381.7
• 申請日: 2017-12-01
• 公開（公告）號: CN108155117B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 清原康雄
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種超臨界流體制造裝置和基板處理裝置。超臨界流體制造裝置能夠吸收在超臨界流體制造裝置內流動的處理流體的壓力變動或脈動，并且能夠防止緩沖罐中滯留微粒的不良情況。超臨界流體制造裝置(70)具備氣體供給線(71a)、冷卻器(72)、泵(74)、緩沖罐(80)、加熱裝置(75)以及超臨界流體供給線(71c)。在緩沖罐(80)的規定位置設置有供來自泵(74)的處理流體流入的流入口(83)，在與流入口(83)不同的位置設置有供處理流體流出的流出口(84)。緩沖罐(80)具有用于貯存來自泵(74)的處理流體的緩沖罐主體(85)以及對被送入到緩沖罐主體(85)中的處理流體進行加熱的加熱器(86)。

技術領域

本發明涉及一種超臨界流體制造裝置和基板處理裝置。

背景技術

在作為基板的半導體晶圓(以下稱作晶圓)等的表面形成集成電路的層疊構造的半導體裝置的制造工序中，進行利用藥液等清洗液將晶圓表面的微小的灰塵、自然氧化膜去除等利用液體來對晶圓表面進行處理的液處理工序。

已知如下一種方法：在通過這樣的液處理工序將殘留于晶圓的表面的液體去除時，使用超臨界狀態的處理流體。

例如，專利文獻1公開一種使超臨界狀態的流體與基板接觸來將殘留于基板的液體去除的基板處理裝置。另外，專利文獻2公開一種利用超臨界流體來從基板上溶解有機溶劑后使基板干燥的基板處理裝置。

專利文獻1：日本特開2013-12538號公報

專利文獻2：日本特開2013-16798號公報

發明內容

發明要解決的問題

另外，以往，從高壓流體制造裝置向使用超臨界流體等高壓流體的基板處理裝置供給高壓流體。在這樣的高壓流體制造裝置中，設置有用于吸收對處理容器供給高壓流體時的壓力變動或吸收因泵而產生的高壓流體的脈動的蓄壓器。在該蓄壓器中，向緩沖容器內填充被封入到橡膠膜等的蓄壓氣體，在從供給配管側供給高壓流體時，所封入的蓄壓氣體吸收高壓流體的壓力變動。

然而，在以往的蓄壓器中，使高壓流體流入緩沖容器的流入口和使高壓流體從緩沖容器流出的流出口是共用的。因此，被充填到蓄壓器的緩沖容器內的高壓流體滯留，由此，存在于高壓流體內的微粒也滯留在蓄壓器的緩沖容器內。當像這樣滯留在緩沖容器內的微粒間歇地向供給配管流出時，有可能對基板的處理工藝產生不良影響。

本發明是在這樣的背景下完成的，其目的在于提供一種能夠吸收在超臨界流體制造裝置內流動的處理流體的壓力變動或脈動并且防止緩沖罐中滯留微粒的不良情況的超臨界流體制造裝置和基板處理裝置。

用于解決問題的方案

本發明的一個方式涉及一種超臨界流體制造裝置，在該超臨界流體制造裝置中，具備：氣體供給線，其用于供給氣體狀的處理流體；冷卻器，其與所述氣體供給線連接，通過對來自所述氣體供給線的氣體狀的處理流體進行冷卻來生成液體狀的處理流體；泵，其與所述冷卻器連接，將來自所述冷卻器的液體狀的處理流體的壓力提高后將該處理流體送出；緩沖罐，其與所述泵連接，吸收來自所述泵的處理流體的壓力變動或脈動；加熱裝置，其與所述緩沖罐連接，對來自所述緩沖罐的處理流體進行加熱；以及超臨界流體供給線，其與所述加熱裝置連接，用于送出來自所述加熱裝置的超臨界狀態的處理流體，其中，在所述緩沖罐的規定位置設置有供來自所述泵的處理流體流入的流入口，在所述緩沖罐中的與所述流入口不同的位置設置有供處理流體流出的流出口，所述緩沖罐具有用于貯存來自所述泵的處理流體的緩沖罐主體以及對被送入到所述緩沖罐主體中的處理流體進行加熱的加熱器。

發明的效果

根據本發明，能夠吸收在超臨界流體制造裝置內流動的處理流體的壓力變動或脈動，并且能夠防止緩沖罐中滯留微粒的不良情況。