[發(fā)明專利]一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711249222.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107808897A | 公開(公告)日: | 2018-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11262 | 代理人: | 胡艷華,李丹 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有機(jī) 發(fā)光二極管 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示基板,其特征在于,包括:設(shè)置在襯底基板上的像素界定層,所述像素界定層界定了多個(gè)像素區(qū)域;所述像素區(qū)域中設(shè)置有陽(yáng)極、OLED功能層和陰極;
所述像素界定層上設(shè)置有陰極導(dǎo)線,所述陰極導(dǎo)線用于連接相鄰所述像素區(qū)域的所述陰極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述陰極在所述襯底基板上的投影與所述陰極導(dǎo)線在所述襯底基板上的投影存在重疊部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述陰極導(dǎo)線與所述陰極的材料相同,所述陰極導(dǎo)線的厚度大于所述陰極的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述陰極導(dǎo)線的材料的電阻率小于所述陰極的材料的電阻率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述陰極導(dǎo)線與同一列或同一行所述像素區(qū)域的所述陰極連接。
6.一種顯示裝置,其特征在于,包括:如權(quán)利要求1-5任一所述的OLED顯示基板。
7.一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示基板的制作方法,其特征在于,包括:
在襯底基板上依次形成陽(yáng)極和像素界定層;所述像素界定層界定了多個(gè)像素區(qū)域;
在位于所述像素區(qū)域中的所述陽(yáng)極上形成OLED功能層和陰極;
在所述像素界定層上形成陰極導(dǎo)線;所述陰極導(dǎo)線用于連接相鄰所述像素區(qū)域的所述陰極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述在所述像素界定層上形成陰極導(dǎo)線包括:
在所述像素界定層上形成與同一列或同一行所述像素區(qū)域的所述陰極連接的所述陰極導(dǎo)線。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述在位于所述像素區(qū)域中的所述陽(yáng)極上形成OLED功能層和陰極包括:
在位于所述像素區(qū)域中的所述陽(yáng)極上形成所述OLED功能層和由第一導(dǎo)電材料制成的,且具有第一厚度的所述陰極;
所述在所述像素界定層上形成陰極導(dǎo)線包括:
在所述像素界定層上形成由第二導(dǎo)電材料制成的,且具有第二厚度的所述陰極導(dǎo)線;
其中,所述第一導(dǎo)電材料和所述第二導(dǎo)電材料相同,所述第一厚度小于所述第二厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述在位于所述像素區(qū)域中的所述陽(yáng)極上形成OLED功能層和陰極包括:
在位于所述像素區(qū)域中的所述陽(yáng)極上形成所述OLED功能層和由第一導(dǎo)電材料制成的所述陰極;
所述在所述像素界定層上形成陰極導(dǎo)線包括:
在所述像素界定層上形成由第二導(dǎo)電材料制成的所述陰極導(dǎo)線;
其中,所述第一導(dǎo)電材料的電阻率大于所述第二導(dǎo)電材料的電阻率。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
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- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長(zhǎng)
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
- 有機(jī)水稻使用的有機(jī)肥
- 有機(jī)垃圾生物分解的有機(jī)菌肥
- 有機(jī)EL用途薄膜、以及有機(jī)EL顯示和有機(jī)EL照明





