[發明專利]一種硅—Spiro-OMeTAD異質結光伏電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201711249126.2
• 申請日: 2017-12-01
• 公開（公告）號: CN108023021B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 張軍
• 申請（專利權）人: 徐州佳利泰新型材料科技有限公司
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅—Spiro-OMeTAD異質結光伏電池的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)n型硅基底的清洗；

(2)n型硅基底的表面鈍化處理；

(3)Spiro-OMeTAD層的制備：在步驟(2)得到的n型硅基底的正面旋涂含有二硒化鋯納米片、二硒化鉭納米片以及Spiro-OMeTAD的混合溶液，旋涂的轉速為2000-3000轉/分鐘，然后進行退火處理，形成所述Spiro-OMeTAD層；

(4)Spiro-OMeTAD/PEDOT:PSS復合層的制備：在所述Spiro-OMeTAD層表面依次旋涂含有二硒化鋯納米片、二硒化鉭納米片以及Spiro-OMeTAD的混合溶液以及PEDOT:PSS溶液，旋涂的速度均為3500-4000轉/分鐘，然后進行退火處理，形成所述Spiro-OMeTAD/PEDOT:PSS復合層；

(5)PEDOT:PSS層的制備：在所述Spiro-OMeTAD/PEDOT:PSS復合層表面旋涂PEDOT：PSS溶液，旋涂的速度為2000-2500轉/分鐘，然后進行退火處理，形成所述PEDOT:PSS層；

(6)正面電極的制備；

(7)背面電極的制備；

其中，所述步驟(3)和(4)中的所述混合溶液中二硒化鋯納米片的濃度為0.1-0.5mg/ml，二硒化鉭納米片納米片的濃度為0.1-0.5mg/ml，Spiro-OMeTAD的濃度為10-15mg/ml，所述步驟(4)和(5)中的所述PEDOT:PSS溶液中PEDOT:PSS的濃度為8-12mg/ml；其中，所述步驟(3)中的退火處理的退火溫度為100-110℃以及退火時間為10-20分鐘；所述步驟(4)中的退火處理的退火溫度為90-100℃，退火時間5-10分鐘；所述步驟(5)中的退火處理的退火溫度為110-120℃，退火時間10-20分鐘。

2.根據權利要求1所述的硅—Spiro-OMeTAD異質結光伏電池的制備方法，其特征在于：在所述步驟(1)中n型硅基底的清洗包括：將n型硅基底依次在丙酮、乙醇、去離子水中進行超聲清洗，然后用氮氣吹干備用。

3.根據權利要求1所述的硅—Spiro-OMeTAD異質結光伏電池的制備方法，其特征在于：在所述步驟(2)中n型硅基底的表面鈍化處理包括：對n型硅基底進行甲基化處理，形成Si-CH3鍵以鈍化硅表面。

4.根據權利要求1所述的硅—Spiro-OMeTAD異質結光伏電池的制備方法，其特征在于：在所述步驟(6)中的所述正面電極為銀柵電極，所述正面電極的厚度為100-150納米。

5.根據權利要求1所述的硅—Spiro-OMeTAD異質結光伏電池的制備方法，其特征在于：在所述步驟(7)中的所述背面電極為鋁電極，所述背面電極的厚度為200-300納米。

6.一種硅—Spiro-OMeTAD異質結光伏電池，其特征在于，所述硅—Spiro-OMeTAD異質結光伏電池為采用權利要求1-5任一項所述的方法制備形成的硅—Spiro-OMeTAD異質結光伏電池。