[發(fā)明專利]一種晶圓管芯通態(tài)壓降的測量電路及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711248444.7
• 申請日: 2017-12-01
• 公開（公告）號: CN107843762B
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋利鵬;郝瑞庭;劉惠鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 北京華峰測控技術(shù)有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種晶圓管芯通態(tài)壓降的測量電路，其特征在于，待測晶圓包括多顆管芯；

所述測量電路包括至少兩個(gè)電流源模塊、至少兩個(gè)電壓表模塊和探針臺吸盤；

每個(gè)所述電流源模塊與一顆所述管芯對應(yīng)；每個(gè)所述電壓表模塊與一顆所述管芯對應(yīng)；

所述管芯包括第一端和第二端；其中，所述多顆管芯的第一端相連，并通過所述待測晶圓的背面的公共電極與所述探針臺吸盤相連；

每個(gè)所述電流源模塊的第一端與其對應(yīng)的管芯的第二端連接，所述電流源模塊的第二端與所述探針臺吸盤連接；

每個(gè)所述電壓表模塊的第一端與其對應(yīng)的管芯的第二端連接，所述電壓表模塊的第二端與所述探針臺吸盤連接；

每個(gè)所述電流源模塊包括一電流源；

每個(gè)所述電壓表模塊包括一電壓表；

所述多顆管芯用于，在每顆管芯單獨(dú)導(dǎo)通時(shí)，逐一獲取所述待測晶圓的每顆管芯對應(yīng)的第一電壓值；在多顆管芯同時(shí)導(dǎo)通時(shí)，獲取每顆管芯對應(yīng)的第二電壓值；根據(jù)所述第一電壓值和所述第二電壓值，確定所述待測晶圓的每顆管芯的實(shí)際通態(tài)壓降。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量電路，其特征在于，每個(gè)所述電流源模塊還包括與所述電流源串聯(lián)的一開關(guān)單元；每一個(gè)所述電壓表模塊還包括與所述電壓表串聯(lián)的一開關(guān)單元。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量電路，其特征在于，所述管芯均為二極管或MOSFET管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量電路，其特征在于，每個(gè)所述電壓表模塊的第一端與其對應(yīng)的管芯的第二端的連接為開爾文連接；所述電壓表模塊的第二端與所述探針臺吸盤的連接為開爾文連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量電路，其特征在于，所述探針臺吸盤表面鍍金或鍍鎳。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量電路，其特征在于，還包括真空吸嘴，用于將所述待測晶圓吸附在所述探針臺吸盤上。

7.一種基于權(quán)利要求1-6任一所述的晶圓管芯通態(tài)壓降的測量電路的晶圓管芯通態(tài)壓降的測量方法，其特征在于，包括：

控制每顆管芯單獨(dú)導(dǎo)通，逐一獲取所述待測晶圓的每顆管芯對應(yīng)的第一電壓值；

控制多顆管芯同時(shí)導(dǎo)通，獲取每顆管芯對應(yīng)的第二電壓值；

根據(jù)所述第一電壓值和所述第二電壓值，確定所述待測晶圓的每顆管芯的實(shí)際通態(tài)壓降。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的測量方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一電壓值和所述第二電壓值，確定所述待測晶圓的每顆管芯的實(shí)際通態(tài)壓降包括：

根據(jù)同一顆管芯對應(yīng)的所述第一電壓值和所述第二電壓值，確定所述待測晶圓的背面的公共電極與所述探針臺吸盤之間的接觸電阻；

根據(jù)每顆管芯對應(yīng)的第一電壓值和所述接觸電阻，或每顆管芯對應(yīng)的第二電壓值和所述接觸電阻，確定所述待測晶圓的每顆管芯的實(shí)際通態(tài)壓降。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的測量方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一電壓值和所述第二電壓值，確定所述待測晶圓的每顆管芯的實(shí)際通態(tài)壓降包括：

根據(jù)每顆管芯對應(yīng)的所述第一電壓值和所述第二電壓值，確定所述待測晶圓的每顆管芯的實(shí)際通態(tài)壓降。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的測量方法，其特征在于，所述管芯單獨(dú)導(dǎo)通和所述多顆管芯同時(shí)導(dǎo)通的對應(yīng)導(dǎo)通管芯中流過的電流值相等。