[發明專利]TFT基板制作方法

有效

• 申請號: 201711247891.0
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN108010923B
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發明（設計）人: 江志雄
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 44202 廣州三環專利商標代理有限公司
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

本發明提供了一種TFT基板制作方法，包括以下的步驟：提供基板；在所述基板上依次成型保護層、鋁薄膜及光阻層；圖案化所述光阻層和所述鋁薄膜；蝕刻所述保護層，所述保護層的邊緣相對于所述鋁薄膜的邊緣內縮，以在所述鋁薄膜和所述基板之間形成凹槽；在所述基板上沉積功能膜層，所述功能膜層包括位于所述光阻層上的第一功能膜層和位于所述基板表面的第二功能膜層，所述鋁薄膜與所述第二功能膜層之間構成所述凹槽的開口；將所述鋁薄膜和所述光阻層設于剝離液中，所述剝離液通過所述凹槽的開口填充所述凹槽，并與所述鋁薄膜反應，以使所述鋁薄膜和所述光阻層脫離所述保護層。本發明能夠提高顯示面板的生產效率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種薄膜晶體管(TFT)基板的制作方法。

背景技術

在制作薄膜晶體管陣列基板(在本發明中稱為TFT基板)的過程中，每一層結構的形成均需要通過一道光刻制程。一般而言，整個TFT基板的制程需要五道光罩(5mask)。然而，過多的光罩次數會增加制程成本，同時也會造成工序流程過長和良品率問題的累積，使生產效率大大降低。

為了縮減光罩數量，可以借助剝離(Lift-off)工藝將銦錫氧化物半導體透明導電膜(ITO層)和保護層(PV層)通過一道光罩同時形成，從而使得光罩總數減小至三道(3mask)。但是，在用剝離液去除光阻層的過程中，由于在光阻層上覆蓋了一層薄膜，因此剝離液無法直接接觸到光阻層，從而對去除光阻層及形成圖案造成阻礙，進而阻礙了光刻制程，造成顯示面板的生產效率降低。

發明內容

本發明提供了一種TFT基板制作方法，能夠提高顯示面板的生產效率。

本發明提供了一種TFT基板制作方法，包括以下的步驟：

提供基板；

在所述基板上依次成型保護層、鋁薄膜及光阻層；

圖案化所述光阻層和所述鋁薄膜；

蝕刻所述保護層，所述保護層的邊緣相對于所述鋁薄膜的邊緣內縮，以在所述鋁薄膜和所述基板之間形成凹槽；

在所述基板上沉積功能膜層，所述功能膜層包括位于所述光阻層上的第一功能膜層和位于所述基板表面的第二功能膜層，所述鋁薄膜與所述第二功能膜層之間構成所述凹槽的開口；

將所述鋁薄膜和所述光阻層設于剝離液中，所述剝離液通過所述凹槽的開口填充所述凹槽，并與所述鋁薄膜反應，以使所述鋁薄膜和所述光阻層脫離所述保護層。

其中，在圖案化所述光阻層和所述鋁薄膜的步驟包括：

對所述光阻層噴曬顯影液；

顯影所述光阻層，以圖案化所述光阻層及露出部分所述鋁薄膜；

通過所述顯影液去除露出所述光阻層的部分所述鋁薄膜，以圖案化所述鋁薄膜。

其中，在圖案化所述光阻層和所述鋁薄膜的步驟中，所述光阻層是負性光刻膠，所述顯影液為四甲基氫氧化銨溶液。

其中，在圖案化所述光阻層和所述鋁薄膜的步驟包括：

對所述光阻層噴曬顯影液；

顯影所述光阻層，以圖案化所述光阻層及露出部分所述鋁薄膜；

采用酸性蝕刻液去除露出所述光阻層的部分所述鋁薄膜，以圖案化所述鋁薄膜。

其中，在蝕刻所述保護層的步驟中，對所述保護層進行干刻處理。

其中，在對所述保護層進行干刻處理的步驟之后，所述鋁薄膜包括相對所述保護層和所述光阻層凸出的凸出部。