[發明專利]顯示基板及其制造方法有效
| 申請號: | 201711247881.7 | 申請日: | 2017-12-01 | 
| 公開(公告)號: | CN107895727B | 公開(公告)日: | 2020-01-21 | 
| 發明(設計)人: | 王杰;王利忠;周劉飛 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司 | 
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1333 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制造 方法 | ||
本發明提供一種顯示基板及其制造方法,包括端子部和顯示部;所述端子部包括靠近顯示基板邊緣的端子主體部和靠近顯示部的端子非主體部,所述端子主體部和端子非主體部的連接處呈臺階狀。本發明通過端子主體部和端子非主體部設計呈不等寬度,即使是導電性圖案之間存在導電殘余物的情況下,也能可靠的切斷電流泄露路徑;本發明不需要增加制造成本,且無繁瑣工藝制程,能有效的減少產品不良,提高良率,提高面板質量,提高生產效率和生產精度。
技術領域
本發明涉及液晶顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板及其制造方法。
背景技術
在顯示基板的制造中,一般來說,會在數據配線或端子部配線上覆蓋較厚的絕緣膜(絕緣膜一般為有機樹脂膜),然后在絕緣性保護膜上形成由ITO制成的導電性膜圖案。
圖1(a)為顯示基板的數據配線或端子部配線俯視圖,圖1(b)為數據配線或端子部配線靠近絕緣膜邊緣的剖面圖,圖1(c)為接觸孔10(柵絕緣層和刻蝕阻擋層)處的剖面圖。
顯示基板包括底層基板00、由第一金屬形成在底層基板00上的柵線1、覆蓋柵線1的柵極絕緣層2、位于柵極絕緣層2上的半導體層(圖未示)、位于半導體層上的刻蝕阻擋層3、形成位于數據配線或端子部配線100上的接觸孔10、由第二金屬形成位于刻蝕阻擋層3上且與半導體層電性連接的源極和漏極4、覆蓋源極和漏極4的無機絕緣膜51和有機絕緣膜52、以及由ITO材料形成在無機絕緣膜51和有機絕緣膜52的導電膜圖案6;其中,接觸孔10位于數據配線或端子部配線100所在區域,以便通過第二金屬通過接觸孔10與第一金屬接觸,形成數據配線或端子部配線100。在理想的狀態下,相鄰的數據配線或端子部配線100之間是電絕緣的。
在實際制造,如圖2(a)所示,導電膜圖案6由光阻7進行光刻的過程中,如圖2(b)和圖2(c)所示,涂布的光阻7和ITO材料6沿著有機絕緣膜52的臺階斜面521變厚,且光阻在有機絕緣膜52的臺階斜面521底部(如圖2(a)所示的J-K線上),尤其是圖2(a)中圖層交疊底部角落處(J/K點),曝光會不充分,顯影后會有光阻殘留7,在導電膜圖案6刻蝕后會有導電殘余物61,導致ITO間(如圖2(d))或者與ITO直接接觸的金屬層之間(圖2(e))電性連接,產生電流泄露路徑。因此,實際制造的出來的陣列基板如圖2(d)和圖2(e)所示,在有機絕緣膜52的臺階斜面底部,有殘留導電殘余物的傾向。
發明內容
本發明的目的在于提供一種切斷導電殘余物導致的導電性圖案之間短路的顯示基板及其制造方法。
本發明提供一種顯示基板,包括端子部和顯示部;所述端子部包括靠近顯示基板邊緣的端子主體部和靠近顯示部的端子非主體部,所述端子主體部和端子非主體部的連接處呈臺階狀。
優選地,所述端子主體部和端子非主體部均包括兩個金屬圖層和一個導電層,所述端子主體部的兩個金屬圖層之間電性連接;所述端子非主體部的兩個金屬圖層相互絕緣。
優選地,所述端子主體部和端子非主體部均包括由第一金屬形成的第一圖形、由第二金屬形成的第二圖形、以及由導電材料形成的第三圖形;端子主體部的第一圖形的寬度大于端子非主體部的第一圖形的寬度,端子主體部的第二圖形的寬度大于端子非主體部的第二圖形的寬度,端子主體部的第三圖形的寬度大于端子非主體部的第三圖形的寬度。
優選地,顯示部上覆蓋有有機絕緣膜,部分所述端子非主體部和所述有機絕緣膜重疊。
優選地,所述端子非主體部還包括位于第一圖形和第二圖形之間的至少一個絕緣層。
優選地,所述絕緣層為柵極絕緣層。
優選地,所述絕緣層為柵極絕緣層、和位于柵極絕緣層上的刻蝕阻擋層。
優選地,相鄰兩個端子主體部的間距為S1,相鄰兩個端子非主體部的間距為S2,S1和S2之間的關系為:S1<S2≤2.5×S1。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





