[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711247848.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107818969A | 公開(公告)日: | 2018-03-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡崇宣;謝爵安;葉名世;楊國璽 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/552 | 分類號(hào): | H01L23/552;H01L21/56 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100 | 代理人: | 駱希聰 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣高雄市*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 及其 制造 方法 | ||
本申請(qǐng)是申請(qǐng)人于2013年11月08日提交的、申請(qǐng)?zhí)枮椤?01310554908.2”的、發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體封裝件及其制造方法”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法,且特別是有關(guān)于一種以重布線路做為阻抗匹配層的具有半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝(System in Package,SiP)是將主芯片及被動(dòng)元件另外設(shè)于塑膠基板的上表面,然后再進(jìn)行封裝。然而,由于基板的體積大,導(dǎo)致系統(tǒng)級(jí)封裝的尺寸無法有效縮小。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法,可改善半導(dǎo)體封裝件無法有效縮小的問題。
根據(jù)本發(fā)明,提出一種半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件包括一芯片、一封裝體、一重布層及一屏蔽層。芯片具有一主動(dòng)面。封裝體包覆芯片。重布層包括一第一介電層及一第一導(dǎo)電層。第一介電層形成于封裝體與芯片的主動(dòng)面上并露出主動(dòng)面的一部分。第一導(dǎo)電層形成于第一介電層上并電性連接于露出的主動(dòng)面,其中第一導(dǎo)電層是作為阻抗匹配層。屏蔽層覆蓋封裝體的外表面并電性連接于第一導(dǎo)電層。
根據(jù)本發(fā)明,提出一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法。制造方法包括以下步驟。設(shè)置一芯片于一黏貼載板上,芯片具有一主動(dòng)面,主動(dòng)面面向黏貼載板;形成一封裝體覆蓋黏貼載板并包覆芯片;分離黏貼載板與芯片,以露出芯片的主動(dòng)面;形成一重布層,其包括以下步驟:形成一第一介電層于封裝體與芯片的主動(dòng)面,其中第一介電層露出主動(dòng)面的一部分;及,形成一第一導(dǎo)電層于第一介電層上,其中第一導(dǎo)電層電性連接于露出的主動(dòng)面且第一導(dǎo)電層是作為阻抗匹配層;以及,形成一屏蔽層覆蓋封裝體的一外表面,其中屏蔽層電性連接于第一導(dǎo)電層。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂,下文特舉較佳實(shí)施例,并配合附圖,作詳細(xì)說明如下:
附圖說明
圖1A繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的功能方塊圖。
圖1B繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
圖1C繪示圖1B中沿方向1C-1C’的剖視圖。
圖1D繪示圖1B中沿方向1D-1D’的剖視圖。
圖1E繪示圖1B的第一導(dǎo)電層、第二介電層與第二導(dǎo)電層的局部示意圖。
圖2繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的第一導(dǎo)電層、第二介電層與第二導(dǎo)電層的局部示意圖。
圖3繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的第一導(dǎo)電層、第二介電層與第二導(dǎo)電層的局部示意圖。
圖4繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
圖5A至5K繪示圖1B的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。
圖6A至6D繪示圖4的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。
主要元件符號(hào)說明:
10:黏貼載板
11:可撓性黏貼層
20:冶具
21:側(cè)部
21s:內(nèi)側(cè)面
22:蓋部
100、200:半導(dǎo)體封裝件
110:天線
120:芯片
1201:接墊
121a:接墊開孔
122:保護(hù)層
123:開關(guān)
120u:主動(dòng)面
120b:背面
120s、130s、141s、1422s、143s、1442s:外側(cè)面
124:第一無線通信芯片
126:第二無線通信芯片
125:被動(dòng)元件
1251:第一接點(diǎn)
1252:第二接點(diǎn)
130:封裝體
130u:第一表面
130u1:第一部分
130u2:第二部分
130b:第二表面
140:重布層
141:第一介電層
141a:第一信號(hào)開孔
142:第一導(dǎo)電層
1421:線路層
1422:第一接地層
1423:走線
143:第二介電層
143a1:第一接地開孔
143a2:第二信號(hào)開孔
144:第二導(dǎo)電層
1441:接墊層
1442:第二接地層
145:第三介電層
145a1:第二接地開孔
145a2:第三信號(hào)開孔
150:電性接點(diǎn)
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司,未經(jīng)日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711247848.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法





