[發明專利]顯示面板及其制作方法在審
| 申請號： | 201711247587.6 | 申請日： | 2017-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN108022878A | 公開（公告）日： | 2018-05-11 |
| 發明（設計）人： | 易士娟 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/78 | 分類號： | H01L21/78;H01L21/311;H01L27/32 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示面板制作方法，其特征在于，包括以下的步驟：
提供承載基板，所述承載基板包括多個功能區和位于所述功能區之間切割區；
在所述承載基板上形成器件層，所述器件層包括TFT器件及包覆所述TFT器件的無機層，所述TFT器件位于所述功能區上，所述無機層覆蓋所述功能區及所述切割區；
去除所述切割區上的所述無機層，形成多個TFT器件區及位于所述TFT器件區之間的凹槽；
沿所述凹槽切割所述承載基板，形成多個顯示面板。
2.如權利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于，在去除所述切割區上的所述無機層的步驟中，通過掩膜版曝光、顯影及蝕刻工藝去除所述切割區上的所述無機層。
3.如權利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于，在去除所述切割區上的所述無機層的步驟之后，在所述TFT器件區邊緣處的無機層上成型溝槽，所述溝槽沿所述凹槽延伸，所述溝槽用于阻擋所述凹槽處的切割應力。
4.如權利要求3所述的顯示面板制作方法，其特征在于，在所述TFT器件區邊緣處的無機層上成型溝槽的步驟中，通過掩膜版曝光、顯影及蝕刻工藝成型溝槽。
5.如權利要求3所述的顯示面板制作方法，其特征在于，在去除所述切割區上的所述無機層的步驟之后，包括
沉積有機層，所述有機層填充所述溝槽并覆蓋所述器件層；
通過掩膜版曝光、顯影工藝去除所述切割區上的所述有機層。
6.如權利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于，在提供承載基板的步驟中，所述承載基板包括依次設于所述基板上第一有機膜、第一無機膜、第二有機膜和第二無機膜。
7.如權利要求6所述的顯示面板制作方法，其特征在于，在去除所述切割區上的所述無機層的步驟中，部分或完全去除所述第二無機膜。
8.一種顯示面板，其特征在于，包括承載基板及設于所述承載基板上的器件層，所述承載基板包括功能區和位于所述功能區周側的切割區，所述器件層包括正對所述功能區的TFT器件區及正對所述切割區的挖空區。
9.如權利要求8所述的顯示面板，其特征在于，所述TFT器件區邊緣處還包括溝槽，所述溝槽沿所述TFT器件區的邊沿延伸，所述溝槽用于阻擋所述挖空區的切割應力。
10.如權利要求9所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括設于所述器件層上的有機層，所述有機層填充所述溝槽并覆蓋所述器件層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
