[發明專利]一種暗室球面陣緊縮場靜區特征譜分析方法有效
| 申請號： | 201711247327.9 | 申請日： | 2017-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN108009355B | 公開（公告）日： | 2021-05-25 |
| 發明（設計）人： | 蘇楊;尹光;耿波 | 申請（專利權）人： | 南京長峰航天電子科技有限公司 |
| 主分類號： | G06F30/20 | 分類號： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210061 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 暗室 球面 緊縮 場靜區 特征 譜分析 方法 | ||
1.一種暗室球面陣緊縮場靜區特征譜分析方法，其特征在于：包括，
根據頻段和緊縮場尺寸，設計饋源天線、反射面和球面陣模型；
將設計的模型導入電磁建模軟件，提取出靜區場采樣點的電場分布；
根據靜區場采樣點的電場分布，計算靜區場角譜分布；
使用FFT和IFFT計算靜區場角譜分布，公式為，
其中，M和N分別為靜區場在x和y方向采樣點的數量，kx為波數的x方向分量，ky為波數的y方向分量，g為靜區場電場分量，G為靜區場角譜分量，FFT和IFFT為快速傅立葉變換和逆變換，p和q為二維FFT的元素序號，Δx、Δy為采樣點在x和y方向上的間距，x0、y0是靜區中心相對原點坐標；
kx和ky與角譜入射角的關系為，
kx＝k0sin(θ)cos(φ)
ky＝k0sin(θ)sin(φ)
其中，k0為自由空間中的波數，θ、φ為球坐標系的角度分量；
根據靜區場角譜分析繞射場分布。
2.根據權利要求1所述的一種暗室球面陣緊縮場靜區特征譜分析方法，其特征在于：在CAD軟件中根據頻段和緊縮場尺寸，設計饋源天線、反射面和球面陣模型。
3.根據權利要求1所述的一種暗室球面陣緊縮場靜區特征譜分析方法，其特征在于：將模型導入FEKO，設置激勵類型，提取出靜區場采樣點的電場分布。
4.根據權利要求3所述的一種暗室球面陣緊縮場靜區特征譜分析方法，其特征在于：設置的激勵類型為波導激勵，采樣點間距小于1/3個工作波長。
5.根據權利要求3所述的一種暗室球面陣緊縮場靜區特征譜分析方法，其特征在于：FEKO導出.out文件，從該文件中提取出靜區場采樣點的電場分布。
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